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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | PAM-XIAMEN |
| Quantité de commande min: | 1-10,000pcs |
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| Prix: | By Case |
| Détails d'emballage: | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a |
| Délai de livraison: | 5-50 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement: | 10 000 gaufrettes/mois |
| Epaisseur: | 350 ±25 μm 430±25μm | Élément: | PAM-FS-GAN-50-N |
|---|---|---|---|
| Type de conduction: | de type n | Nom du produit: | Gaufrette de substrat de nitrure de gallium |
| L'autre nom: | gaufrette gan | Dimension: | 50,8 ±1 millimètre |
| TTV: | < 0=""> | arc: | -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm |
| Surligner: | gallium nitride gan,gan on silicon wafer |
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Substrats libres de GaN en vrac de N-GaN de 2 pouces pour la structure de LED, de LD ou d'HEMT
substrats libres de 2inch N-GaN GaN
La demande croissante en capacités de puissance-manipulation ultra-rapides, à hautes températures et élevées a fait l'industrie de semi-conducteur repenser le choix des matières employées comme semi-conducteurs. Par exemple, pendant que les divers dispositifs de calcul plus rapides et plus petits surgissent, l'utilisation du silicium le rend difficile de soutenir la loi de Moore. Mais également dans l'électronique de puissance, les propriétés du silicium ne sont plus suffisantes pour permettre d'autres améliorations dans l'efficacité de conversion.
Montre ici des spécifications de détail :
substrats libres de 2inch N-GaN GaN
| Article | PAM-FS-GaN-50-N |
| Dimension | 50,8 ±1 millimètre |
| Épaisseur | 350 ±25 μm 430±25μm |
| Orientation | Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15° |
| Orientation plate | (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 millimètre |
| Orientation secondaire plate | (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 millimètre |
| Type de conduction | de type n |
| Résistivité (300K) |
>106 Ω·cm |
| TTV | < 0=""> |
| ARC | -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm |
| Aspérité : |
Partie antérieure : Ra<0> Arrière : La terre fine ou poli. |
| Densité de dislocation | De 1 de x 105 à 5 de x 10 6 cm -2 (calculé par le CL) * |
| Macro densité de défaut | < 2="" cm="">-2 |
| Secteur utilisable | > 90% (exclusion de défauts de bord et de macro) |
| Paquet | chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100 |
RAPPORT de matériel-ESSAI de Transmitance-GaN
Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.
La transmittance de la surface de gaufrette est l'efficacité de sa transmission d'énergie radiative. Comparé au coefficient de transmission, c'est la fraction de la puissance électromagnétique d'incident transmise par l'échantillon, et le coefficient de transmission est le rapport du champ électrique transmis au champ électrique d'incident.
Service
le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.
La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.
L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.
Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.
Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.
Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.
Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.
Transmitance de matériel de GaN
Pureté de gaufrette de phosphure d'indium de monocristal grande catégorie de perfection de 4 pouces