Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure de gallium

Substrats de GaN en vrac de gaufrette de nitrure de gallium de 2 pouces pour la structure d'HEMT de LED

Substrats de GaN en vrac de gaufrette de nitrure de gallium de 2 pouces pour la structure d'HEMT de LED

2 Inch Gallium Nitride Wafer Bulk GaN Substrates For LED HEMT Structure

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
Contactez
Description de produit détaillée
Epaisseur: 350 ±25 μm 430±25μm Élément: PAM-FS-GAN-50-N
Type de conduction: de type n Nom du produit: Gaufrette de substrat de nitrure de gallium
L'autre nom: gaufrette gan Dimension: 50,8 ±1 millimètre
TTV: < 0=""> arc: -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm
Surligner:

gallium nitride gan

,

gan on silicon wafer

Substrats libres de GaN en vrac de N-GaN de 2 pouces pour la structure de LED, de LD ou d'HEMT

 

substrats libres de 2inch N-GaN GaN

La demande croissante en capacités de puissance-manipulation ultra-rapides, à hautes températures et élevées a fait l'industrie de semi-conducteur repenser le choix des matières employées comme semi-conducteurs. Par exemple, pendant que les divers dispositifs de calcul plus rapides et plus petits surgissent, l'utilisation du silicium le rend difficile de soutenir la loi de Moore. Mais également dans l'électronique de puissance, les propriétés du silicium ne sont plus suffisantes pour permettre d'autres améliorations dans l'efficacité de conversion.

 

Montre ici des spécifications de détail :

substrats libres de 2inch N-GaN GaN

Article PAM-FS-GaN-50-N
Dimension 50,8 ±1 millimètre
Épaisseur 350 ±25 μm 430±25μm
Orientation Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
Orientation plate (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 millimètre
Orientation secondaire plate (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 millimètre
Type de conduction de type n
Résistivité (300K)

>106 Ω·cm

TTV < 0="">
ARC -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm
Aspérité :

Partie antérieure : Ra<0>

Arrière : La terre fine ou poli.

Densité de dislocation De 1 de x 105 à 5 de x 10 6 cm -2 (calculé par le CL) *
Macro densité de défaut < 2="" cm="">-2
Secteur utilisable > 90% (exclusion de défauts de bord et de macro)
Paquet chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RAPPORT de matériel-ESSAI de Transmitance-GaN

 

Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.

 

La transmittance de la surface de gaufrette est l'efficacité de sa transmission d'énergie radiative. Comparé au coefficient de transmission, c'est la fraction de la puissance électromagnétique d'incident transmise par l'échantillon, et le coefficient de transmission est le rapport du champ électrique transmis au champ électrique d'incident.

 

Service

 

le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.

La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.

L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

 

Substrats de GaN en vrac de gaufrette de nitrure de gallium de 2 pouces pour la structure d'HEMT de LED

Transmitance de matériel de GaN

 

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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