Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure de gallium

Utilisation à haute fréquence libre de 2 de pouce de GaN de gallium de nitrure dispositifs de substrats

Utilisation à haute fréquence libre de 2 de pouce de GaN de gallium de nitrure dispositifs de substrats

2 Inch GaN Gallium Nitride Substrates Freestanding High Frequency Devices Use

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
Contactez
Description de produit détaillée
Type de conduction: Semi-isolant Epaisseur: 350 ±25 μm 430±25μm
Élément: PAM-FS-GAN-50-SI L'autre nom: Substrat de nitrure de gallium
Dimension: 50,8 ±1 millimètre Nom du produit: Substrats de SI-GaN GaN
TTV: μm du ≤ 15 arc: -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm
Surligner:

gallium nitride gan

,

gan wafer

Substrats libres et gaufrettes de 2 pouces SI-GaN GaN (nitrure de gallium)

 

substrats libres de 2inch SI-GaN GaN

Article Pam-FS-GaN -50-SI
Dimension 50,8 ±1 millimètre
Épaisseur 350 ±25 μm 430±25μm
Orientation C surfacent (0001) outre de l'angle vers le M-axe 0,35 ±0.15°
Orientation plate (1-100) 0 ±0.5°, 16 ±1 millimètre
Orientation secondaire plate (11-20) 0 ±3°, 8 ±1 millimètre
Type de conduction

Semi-isolant

Résistivité (300K)

>106 Ω·cm

TTV μm du ≤ 15
ARC -20 μm du ≤ 20 d'ARC de ≤ de μm
Aspérité :

Partie antérieure : Ra<0>

Arrière : La terre fine ou poli.

Densité de dislocation De 1 de x 105 à 5 de x 10 6cm -2(calculéparleCL)*
Macro densité de défaut < 2="" cm="">-2
Secteur utilisable > 90% (exclusion de défauts de bord et de macro)
Paquet chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100

 

 

Stations de base sans fil : Transistors de puissance de rf

Access à bande large sans fil : MMICs à haute fréquence, Rf-circuits MMICs

Capteurs de pression : MEMS

Capteurs de la chaleur : détecteurs Pyro-électriques

Conditionnement de puissance : Intégration des messages mélangés GaN/Si

Électronique automobile : L'électronique à hautes températures

Lignes de transport d'énergie : L'électronique à haute tension

Capteurs de cadre : Détecteurs UV

Piles solaires : L'espace de bande large de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV à l'eV 3,4 (qui est pratiquement le spectre solaire entier), préparant la nitrure de gallium d'indium

(InGaN) allie parfait pour créer le matériel de pile solaire. En raison de cet avantage, des piles solaires d'InGaN développées sur des substrats de GaN sont portées en équilibre pour devenir une des nouvelles demandes et du marché de croissance les plus importants de gaufrettes de substrat de GaN.

Idéal pour des HEMTs, FETs

Projet de diode de GaN Schottky : Nous acceptons Spéc. de coutume des diodes de Schottky fabriquées sur les couches de nitrure de gallium (GaN) de n et les p-types HVPE-élevés et libres.

Les deux contacts (ohmiques et Schottky) ont été déposés sur la surface supérieure utilisant Al/Ti et Pd/Ti/Au.

Structure cristalline de blende de zinc
    Remarques Referens
Domaines d'énergie, par exemple eV 3,28 0 K Bougrov et autres (2001)
Domaines d'énergie, par exemple eV 3,2 300 K
Affinité d'électron eV 4,1 300 K
Bande de conduction      
Séparation d'énergie entre la vallée et les vallées EΓ de Γde X eV 1,4 300 K Bougrov et autres (2001)
Séparation d'énergie entre la vallée et le L vallées ELde Γ 1,6 eV du ÷ 1,9 300 K
Densité efficace de bande de conduction des états 1,2 x 1018 cm-3 300 K
Bande de valence    
Énergie d'E de division rotation-orbitalainsi 0,02 eV 300 K
Densité efficace de bande de valence des états 4,1 x 1019 cm-3 300 K

Structure de bande pour la blende de zinc GaN

Utilisation à haute fréquence libre de 2 de pouce de GaN de gallium de nitrure dispositifs de substrats Structure de bande de blende de zinc GaN (cubique). Les minimum importants de la bande de conduction et des maximum de la valence se réunissent.
300K ; Par exemple eVeV =3.2 ; EX = eV 4,6 ; EL = eV 4.8-5.1 ; Eainsi = 0,02 eV
Pour des détails voir Suzuki, Uenoyama et le Yanase (1995).


 

Utilisation à haute fréquence libre de 2 de pouce de GaN de gallium de nitrure dispositifs de substrats Zone de Brillouin du trellis cubique face au centre, le trellis de Bravais des structures de diamant et de zincblende.

 

 

Service

 

le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.

La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.

L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

 

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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