Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure de gallium

Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf

Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf

Freestanding GaN Gallium Nitride Substrate N Type Semi Insulating For RF

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Orientation: C-axe (0001) +/-0.5° Emplacement plat primaire: (1-100) +/-0.5°
Epaisseur: 330-450um Longueur plate secondaire: 8+/-1mm
Longueur plate primaire: 16+/-1mm Emplacement plat secondaire: (11-20) +/-3°
Surligner:

gallium nitride gan

,

gan wafer

Substrat libre de GaN, type de N, semi-isolants pour le rf, la puissance, menée et le LD

 

Spécifications de substrat libre de GaN

Montre ici des spécifications de détail :

substrat libre de GaN de 2 ″ (50.8mm) (nitrure de gallium)

Article PAM-FS-GaN50-N PAM-FS-GaN50-SI
Type de conduction de type n Semi-isolant
Taille ″ 2 (50,8) +/-1mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/-0.5°
Emplacement plat primaire (1-100) +/-0.5°
Longueur plate primaire 16+/-1mm
Emplacement plat secondaire (11-20) +/-3°
Longueur plate secondaire 8+/-1mm
Résistivité (300K) <0> >106Ω·cm
Densité de dislocation <5x106cm-2>
Densité de défaut de Marco Un grade2cm-2<>
TTV <>
ARC <>
Finition extérieure Surface avant : Ra<0>
  Surface arrière : la terre 1.Fine
2.Rough grinded
Secteur utilisable ≥ 90 %

 

Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf

substrat libre de GaN de 1,5 ″ (38.1mm)

Article PAM-FS-GaN38-N PAM-FS-GaN38-SI
Type de conduction de type n Semi-isolant
Taille ″ 1,5 (38,1) +/-0.5mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/-0.5o
Emplacement plat primaire (1-100) +/-0.5o
Longueur plate primaire 12+/-1mm
Emplacement plat secondaire (11-20) +/-3o
Longueur plate secondaire 6+/-1mm
Résistivité (300K) <0> >106Ω·cm
Densité de dislocation <5x106cm-2>
Densité de défaut de Marco Un grade2cm-2<>
TTV <>
ARC <>
Finition extérieure Surface avant : Ra<0>
 

Surface arrière : la terre 1.Fine

2.Rough grinded

   
Secteur utilisable ≥ 90 %

 

Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf

15mm, 10mm, substrat libre de 5mm GaN

Article

PAM-FS-GaN15-N

PAM-FS-GaN10-N

PAM-FS-GaN5-N

PAM-FS-GaN15-SI

PAM-FS-GaN10-SI

PAM-FS-GaN5-SI

Type de conduction de type n Semi-isolant
Taille 14.0mm*15mm 10.0mm*10.5mm 5.0*5.5mm
Épaisseur 330-450um
Orientation C-axe (0001) +/-0.5o
Emplacement plat primaire  
Longueur plate primaire  
Emplacement plat secondaire  
Longueur plate secondaire  
Résistivité (300K) <0> >106Ω·cm
Densité de dislocation <5x106cm-2>
Densité de défaut de Marco 0cm-2
TTV <>
ARC <>
Finition extérieure Surface avant : Ra<0>
  Surface arrière : la terre 1.Fine
    2.Rough grinded
Secteur utilisable ≥ 90 %
       

 

Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf Type libre du substrat N de nitrure de gallium de GaN isolant semi pour le rf

Application de substrat de GaN

 

Éclairage à semi-conducteur : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que diodes électroluminescentes de luminosité ultra intense (LED), TV, automobiles, et éclairage général

 

Stockage de DVD : Diodes lasers bleues

Dispositif de puissance : Des dispositifs de GaN sont utilisés en tant que divers composants dans l'électronique de puissance de haute puissance et à haute fréquence comme les stations de base, les satellites, les amplificateurs de puissance, et les inverseurs/convertisseurs cellulaires pour des véhicules électriques (EV) et des véhicules électriques hybrides (HEV). La basse sensibilité de GaN aux rayonnements ionisants (comme d'autres nitrures de groupe III) lui fait un matériel approprié pour des applications capable de supporter l'espace telles que des rangées de pile solaire pour des satellites et des dispositifs de haute puissance et à haute fréquence pour la communication, le temps, et des satellites de surveillance

Idéal pour la recroissance d'III-nitrures

 

Stations de base sans fil : Transistors de puissance de rf

Access à bande large sans fil : MMICs à haute fréquence, Rf-circuits MMICs

Capteurs de pression : MEMS

 

Capteurs de la chaleur : détecteurs Pyro-électriques

Conditionnement de puissance : Intégration des messages mélangés GaN/Si

Électronique automobile : L'électronique à hautes températures

Lignes de transport d'énergie : L'électronique à haute tension

Capteurs de cadre : Détecteurs UV

Piles solaires : L'espace de bande large de GaN couvre le spectre solaire de 0,65 eV à l'eV 3,4 (qui est pratiquement le spectre solaire entier), préparant la nitrure de gallium d'indium

 

Au sujet de nous

 

Amélioration continue, niveau plus de haute qualité de recherche. Notre personnel de vente fortement consacré n'a jamais lancé à partir d'aller que mille supplémentaire répondre et dépasser aux attentes du client. Nous ne traitons nos clients avec la mêmes fidélité et dévotion, aucune matière la taille de leurs affaires ou industrie.

 

Nous avons un atelier propre et rangé, large et une équipe de production et de développement avec une expérience riche, fournissant le soutien important pour vos besoins de R&D et de production ! Tous nos produits sont conformes aux normes de qualité internationales et sont considérablement appréciés sur un grand choix de différents marchés dans le monde entier. Si vous êtes intéressé par un quelconque de nos produits ou voudriez discuter une commande à façon, sentez-vous svp libre pour nous contacter. Nous attendons avec intérêt de former des relations d'affaires réussies avec de nouveaux clients autour du monde dans un avenir proche.

 

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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