Aperçu ProduitsGaufrette de nitrure de gallium

GaN semi isolant couche épitaxiale de gaufrette de 4 pouces sur des substrats de saphir

GaN semi isolant couche épitaxiale de gaufrette de 4 pouces sur des substrats de saphir

Semi Insulating GaN 4 Inch Wafer Epitaxial Layer On Sapphire Substrates

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
Contactez
Description de produit détaillée
Nom du produit: substrats semi-isolants gan 4inch/saphir Epaisseur: μm 1,8 ±0.5
L'autre nom: gaufrette gan Mobilité: | 200cm2/V·s
Élément: PAM-T-GaN-100-SI Type de conduction: Semi-isolant
Dimension: 100 ±0.1 millimètre Résistivité (300K): > 105 Ω·cm
Surligner:

gallium nitride gan

,

gan wafer

Avion (0001) couche épitaxiale semi-isolante de GaN de 4 pouces sur des substrats de saphir

 

Montre ici des spécifications de détail :

4inch substrats semi-isolants de GaN/saphir

Article PAM-T-GaN-100-SI
Dimension 100 ±0.1 millimètre
Épaisseur μm 1,8 ±0.5
Orientation de GaN Avion de C (0001) outre d'angle vers l'Un-axe 0,2 ±0.1°
Appartement d'orientation de GaN (1-100) 0 ±0.2°, 16 ±1 millimètre
Type de conduction Semi-isolant
Résistivité (300K) > 105 Ω·cm
Concentration en transporteur >1x1018cm-3 (concentration ≈doping)
Mobilité | 200cm2/V·s
Densité de dislocation > 5x108cm-2 (prévu par FWHMs de XRD)
Structure 5 ±1 μm GaN/~ 50 saphir de μm du tampon layer/430 ±25 d'uGaN de nanomètre
Orientation de saphir Avion de C (0001) outre d'angle vers le M-axe 0,2 ±0.1°
Appartement d'orientation de saphir (11-20) 0 ±0.2°, 16 ±1 millimètre
Aspérité : Partie antérieure : Arrière<0> de Ra : gravé à l'eau-forte ou poli.
Secteur utilisable > 90% (exclusion de défauts de bord et de macro)
Paquet chacun dans le conteneur simple de gaufrette, sous l'atmosphère d'azote, emballée dans la pièce propre de la classe 100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4inch substrats semi-isolants de GaN/saphir

Rapport de FWHM et de XRD

 

Un rapport des essais est nécessaire pour montrer la conformité entre la description faite sur commande et nos données finales de gaufrettes. Nous examinerons le characerization de gaufrette par l'équipement avant l'expédition, examinant l'aspérité au microscope atomique de force, le type par l'instrument romain de spectres, la résistivité par l'équipement de non contact d'essai de résistivité, la densité de micropipe au microscope de polarisation, l'orientation par le rayon X Orientator etc. si les gaufrettes répondent à l'exigence, nous nettoierons et les emballer dans la pièce propre de 100 classes, si les gaufrettes n'assortissent pas Spéc. de coutume, nous l'enlèverons.

 

FWHM et XRD de calibre d'AlN

GaN semi isolant couche épitaxiale de gaufrette de 4 pouces sur des substrats de saphir

 

FWHM et XRD de calibre d'AlN

 

Ici nous montrons l'expérience comme exemple :

Expérience sur GaN sur le saphir : Propriétés optoélectroniques et caractérisation structurelle des couches épaisses de GaN sur différents substrats par le dépôt de laser pulsé :

 

Le schéma 1 montre des spectres à basse température d'un PL (à 77 K) de films de GaN développés sur différents substrats. Des spectres de PL de GaN développés sur différents substrats sont dominés par l'émission de proche-bande-bord à environ 360 nanomètre. Les de grande largeur au demi maximum (FWHM) des films de GaN produits sur les échantillons A (4 nanomètre) et B (8 nanomètre) sont plus étroits que celui des films développés sur les échantillons C (10 nanomètre) et D (13 nanomètre), indiquant la basse densité de défaut et la qualité cristalline élevée des films de GaN dus à leur disparité inférieure de trellis, qui est compatible aux résultats de XRD. On a également observé des tendances semblables de la crête jaune de bande-émission sur ces échantillons (des données non montrées ici). La luminescence jaune est liée aux défauts de niveau profonds dans GaN

GaN semi isolant couche épitaxiale de gaufrette de 4 pouces sur des substrats de saphir

Spectres à basse température de (PL) de photoluminescence du schéma 1. (à 77 K) de films de GaN développés sur différents substrats. FWHM : de grande largeur au demi maximum

 

Les produits du calibre de PAM-XIAMEN se composent des couches cristallines de nitrure de gallium (GaN), de nitrure en aluminium (AlN), de nitrure en aluminium de gallium (AlGaN) et de nitrure de gallium d'indium (InGaN), qui est déposée sur des substrats de saphir. Les produits du calibre de PAM-XIAMEN permettent 20-50% durées de cycle plus courtes d'épitaxie et couches épitaxiales plus de haute qualité de dispositif, avec une meilleure qualité structurelle et une conduction thermique plus élevée, qui peuvent améliorer des dispositifs dans le coût, le rendement, et la représentation.

 

Pam-XIAMEN'sGaN sur des calibres de saphir sont disponible de diamètre de 2" jusqu'à 6", et se composent d'une couche mince de GaN cristallin développée sur un substrat de saphir. calibres Epi-prêts maintenant disponibles.

 

Au sujet de nous

 

La responsabilité est l'assurance de la qualité, et la qualité est la vie de la société. Nous attendons avec intérêt la coopération à long terme avec des clients, nous ferons le meilleur service et service après-vente pour tous nos clients. Si vous avez n'importe quelle enquête, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Nous vous répondrons à la première fois comme nous pouvons.

 

Après des années du développement, nous avons établi le réseau parfait de ventes et intégré le système de service après-vente à domestique et à l'étranger, qui permet à la société de fournir des services opportuns, précis et efficaces, et avons gagné de bonnes réputations de client. Les produits sont vendus partout en Chine et exportés vers plus de 30 pays et régions telles que l'Europe, l'Amérique, l'Asie du Sud-Est, l'Amérique du Sud, le Moyen-Orient et l'Afrique. Tous la production, le volume de ventes et l'échelle sont se sont rangés d'abord dans la même industrie.

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