Aperçu ProduitsGaufrette de carbure de silicium

Gaufrette de silicium de 4 pouces isolant semi la catégorie de recherches de substrat de silicium

Gaufrette de silicium de 4 pouces isolant semi la catégorie de recherches de substrat de silicium

4 Inch Silicon Wafer Semi Insulating Silicon Substrate Research Grade

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
Contactez
Description de produit détaillée
Nom: Gaufrette semi isolante de carbure de silicium Qualité: Catégorie de recherches
Description: SEMI substrat 4H Taille: 10mm x 10mm
Mots-clés: gaufrette de monocristal sic Application: Industrie électronique
Longueur plate primaire: ± 16,00 1,70 millimètres Longueur plate secondaire: ± 8,00 1,70 millimètres
Surligner:

semi standard wafer

,

sic wafer

substrat de silicium 4H semi-isolant, catégorie de recherches, 10mm x 10mm

 

Veuillez nous contacter pour plus d'information

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Polytype Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
  c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
  Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

substrat de silicium 4H semi-isolant, catégorie de recherches, 10mm x 10mm

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430
Description Substrat de la catégorie 4Hde recherchesSEMI
Polytype 4H
Diamètre (50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Résistivité (RT) >1E5 Ω·cm
Aspérité < 0="">
FWHM <50 arcsec="">
Densité de Micropipe A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure
Sur le ± <0001>0.5° d'axe
Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>le ± 0.5°
Orientation plate primaire Mettez en parallèle {le ± 5° de 1-100}
Longueur plate primaire ± 16,00 1,70 millimètres
SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire ± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieure Visage simple ou double poli
Empaquetage Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable ≥ 90 %
Exclusion de bord 1 millimètre

 

Propriétés de monocristal sic

Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.

Propriété de   de carbure de silicium (sic)

Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :

 

Propriété Valeur Conditions
Densité 3217 kg/m^3 hexagonal
Densité 3210 kg/m^3 cubique
Densité 3200 kg/m^3 Monocristal
Dureté, Knoop (KH) 2960 kg/mm/mm 100g, en céramique, noir
Dureté, Knoop (KH) 2745 kg/mm/mm 100g, en céramique, vert
Dureté, Knoop (KH) 2480 kg/mm/mm Monocristal.
Module de Young 700 GPa Monocristal.
Module de Young 410,47 GPa En céramique, density=3120 kg/m/m/m, à la température ambiante
Module de Young 401,38 GPa En céramique, density=3128 kg/m/m/m, à la température ambiante
Conduction thermique 350 W/m/K Monocristal.
Limite conventionnelle d'élasticité 21 GPa Monocristal.
Capacité de chaleur 1,46 J/mol/K En céramique, à temp=1550 C.
Capacité de chaleur 1,38 J/mol/K En céramique, à temp=1350 C.
Capacité de chaleur 1,34 J/mol/K En céramique, à temp=1200 C.
Capacité de chaleur 1,25 J/mol/K En céramique, à temp=1000 C.
Capacité de chaleur 1,13 J/mol/K En céramique, à temp=700 C.
Capacité de chaleur 1,09 J/mol/K En céramique, à temp=540 C.
Résistivité électrique 1. 1e+10 Ω*m En céramique, à temp=20 C
Résistance à la pression 0,5655. 1,3793 GPa En céramique, à temp=25 C
Module de la rupture 0,2897 GPa En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance
Module de la rupture 0,1862 GPa Ceramifc, à la température ambiante
Le coefficient de Poisson 0,183. 0,192 En céramique, à la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m
Module de la rupture 0,1724 GPa En céramique, à temp=1300 C
Module de la rupture 0,1034 GPa En céramique, à temp=1800 C
Module de la rupture 0,07586 GPa En céramique, à temp=1400 C
Résistance à la traction 0,03448. 0,1379 GPa En céramique, à temp=25 C

 

* référence : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle

Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :

Propriété Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

* référence : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.

Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :

Sic Polytype 3C-SiC 4H-SiC 6H-SiC
Structure cristalline Blende de zinc (cubique) Wurtzite (hexagonale) Wurtzite (hexagonale)
Groupe de symétrie T2d-F43m C46v-P63mc C46v-P63mc
Module de compressibilité cm2 de 2,5 x 1012 dyne cm2 de 2,2 x 1012 dyne cm2 de 2,2 x 1012 dyne
Coefficient linéaire de dilatation thermique 2,77 (42) x 10-6 K-1    
La température de Debye K 1200 K 1300 K 1200
Point de fusion 3103 (40) K 3103 ± 40 K 3103 ± 40 K
Densité 3,166 g cm-3 3,21 g cm-3 3,211 g cm-3
Dureté 9.2-9.3 9.2-9.3 9.2-9.3
Microdureté extérieure 2900-3100 kilogrammes mm-2 2900-3100 kilogrammes mm-2 2900-3100 kilogrammes mm-2
Constante diélectrique (statique) ε0 ~= 9,72 La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée ε0, ~= 9,66 d'ort
Indice de réfraction infrarouge ~=2.55 ~=2.55 (axe de c) ~=2.55 (axe de c)
Indice de réfraction n (λ) ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 ~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 ~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2
~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2 ~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2
Coefficient radiatif de recombinaison   1,5 x 10-12 cm3/s 1,5 x 10-12 cm3/s
Énergie optique de photon mev 102,8 mev 104,2 mev 104,2
La masse d'électron efficace ml (longitudinal) 0.68mo 0.677(15) MOIS 0.29mo
La masse d'électron efficace mt (transversal) 0.25mo 0.247(11) MOIS 0.42mo
La masse efficace de la densité du mcd d'états 0.72mo 0.77mo 2.34mo
La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie 0.35mo 0.37mo 0.71mo
La masse efficace de la conductivité MCC 0.32mo 0.36mo 0.57mo
La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ? 0,6 MOIS ~1,0 MOIS ~1,0 MOIS
Constante de trellis a=4.3596 A a = 3,0730 A a = 3,0730 A
b = 10,053 b = 10,053

 

 

Propriétés sic matérielles


Les matériaux de CARBURE de SILICIUM (sic) métamorphosent actuellement de la recherche et développement dans un produit de marché de fabrication. Sic des substrats sont actuellement employés comme base pour une grande part de production mondiale des diodes électroluminescentes vertes, bleues, et ultra-violettes (LEDs). Les marchés émergents pour sic homoepitaxy incluent les dispositifs de haute puissance de commutation et les dispositifs à micro-ondes pour S et bande x. Les demandes de structures basées sur GaN heteroepitaxial sur sic des substrats incluent la LED et les dispositifs à micro-ondes. Celles-ci des résultats passionnants de dispositif refoulent principalement de l'exploitation des propriétés électriques et thermo-physiques uniques offertes par sic comparé au SI et à la GaAs. Parmi ces derniers soyez : un grand bandgap pour la tenue à hautes températures à opération et à rayonnements ; champ critique élevé de panne pour la sortie de haute puissance ; vitesse d'électron saturée par haute pour l'opération à haute fréquence ; une conduction thermique sensiblement plus élevée pour la gestion thermique des dispositifs de haute puissance.

 

Au sujet de nous

 

La responsabilité est l'assurance de la qualité, et la qualité est la vie de la société. Nous attendons avec intérêt la coopération à long terme avec des clients, nous ferons le meilleur service et service après-vente pour tous nos clients. Si vous avez n'importe quelle enquête, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Nous vous répondrons à la première fois comme nous pouvons.

 

Après des années du développement, nous avons établi le réseau parfait de ventes et intégré le système de service après-vente à domestique et à l'étranger, qui permet à la société de fournir des services opportuns, précis et efficaces, et avons gagné de bonnes réputations de client. Les produits sont vendus partout en Chine et exportés vers plus de 30 pays et régions telles que l'Europe, l'Amérique, l'Asie du Sud-Est, l'Amérique du Sud, le Moyen-Orient et l'Afrique. Tous la production, le volume de ventes et l'échelle sont se sont rangés d'abord dans la même industrie.

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Envoyez votre demande directement à nous (0 / 3000)

Autres Produits