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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | PAM-XIAMEN |
| Quantité de commande min: | 1-10,000pcs |
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| Prix: | By Case |
| Délai de livraison: | 5-50 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement: | 10 000 gaufrettes/mois |
| Nom: | Gaufrette semi isolante de carbure de silicium | Qualité: | Catégorie de recherches |
|---|---|---|---|
| Description: | SEMI substrat 4H | Taille: | 10mm x 10mm |
| Mots-clés: | gaufrette de monocristal sic | Application: | Industrie électronique |
| Longueur plate primaire: | ± 16,00 1,70 millimètres | Longueur plate secondaire: | ± 8,00 1,70 millimètres |
| Surligner: | semi standard wafer,sic wafer |
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substrat de silicium 4H semi-isolant, catégorie de recherches, 10mm x 10mm
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PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
| Polytype | Monocristal 4H | Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
| Bande-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densité | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Index de réfraction | aucun = 2,719 | aucun = 2,707 |
| Ne = 2,777 | Ne = 2,755 | |
| Constante diélectrique | 9,6 | 9,66 |
| Conduction thermique | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Champ électrique de panne | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilité de trou | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs | ~9 | ~9 |
substrat de silicium 4H semi-isolant, catégorie de recherches, 10mm x 10mm
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT | S4H-51-SI-PWAM-250 S4H-51-SI-PWAM-330 S4H-51-SI-PWAM-430 |
| Description | Substrat de la catégorie 4Hde recherchesSEMI |
| Polytype | 4H |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) millimètre |
| Épaisseur | (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) |
| Résistivité (RT) | >1E5 Ω·cm |
| Aspérité | < 0=""> |
| FWHM | <50 arcsec=""> |
| Densité de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 |
| Orientation extérieure | |
| Sur le ± <0001>0.5° d'axe | |
| Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>le ± 0.5° | |
| Orientation plate primaire | Mettez en parallèle {le ± 5° de 1-100} |
| Longueur plate primaire | ± 16,00 1,70 millimètres |
| SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation | |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation | |
| Longueur plate secondaire | ± 8,00 1,70 millimètres |
| Finition extérieure | Visage simple ou double poli |
| Empaquetage | Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette |
| Secteur utilisable | ≥ 90 % |
| Exclusion de bord | 1 millimètre |
Propriétés de monocristal sic
Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.
Propriété de de carbure de silicium (sic)
Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :
| Propriété | Valeur | Conditions |
| Densité | 3217 kg/m^3 | hexagonal |
| Densité | 3210 kg/m^3 | cubique |
| Densité | 3200 kg/m^3 | Monocristal |
| Dureté, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, en céramique, noir |
| Dureté, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, en céramique, vert |
| Dureté, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Monocristal. |
| Module de Young | 700 GPa | Monocristal. |
| Module de Young | 410,47 GPa | En céramique, density=3120 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Module de Young | 401,38 GPa | En céramique, density=3128 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Conduction thermique | 350 W/m/K | Monocristal. |
| Limite conventionnelle d'élasticité | 21 GPa | Monocristal. |
| Capacité de chaleur | 1,46 J/mol/K | En céramique, à temp=1550 C. |
| Capacité de chaleur | 1,38 J/mol/K | En céramique, à temp=1350 C. |
| Capacité de chaleur | 1,34 J/mol/K | En céramique, à temp=1200 C. |
| Capacité de chaleur | 1,25 J/mol/K | En céramique, à temp=1000 C. |
| Capacité de chaleur | 1,13 J/mol/K | En céramique, à temp=700 C. |
| Capacité de chaleur | 1,09 J/mol/K | En céramique, à temp=540 C. |
| Résistivité électrique | 1. 1e+10 Ω*m | En céramique, à temp=20 C |
| Résistance à la pression | 0,5655. 1,3793 GPa | En céramique, à temp=25 C |
| Module de la rupture | 0,2897 GPa | En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance |
| Module de la rupture | 0,1862 GPa | Ceramifc, à la température ambiante |
| Le coefficient de Poisson | 0,183. 0,192 | En céramique, à la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m |
| Module de la rupture | 0,1724 GPa | En céramique, à temp=1300 C |
| Module de la rupture | 0,1034 GPa | En céramique, à temp=1800 C |
| Module de la rupture | 0,07586 GPa | En céramique, à temp=1400 C |
| Résistance à la traction | 0,03448. 0,1379 GPa | En céramique, à temp=25 C |
* référence : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle
Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :
| Propriété | Monocristal 4H | Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
| Bande-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densité | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Index de réfraction | aucun = 2,719 | aucun = 2,707 |
| Ne = 2,777 | Ne = 2,755 | |
| Constante diélectrique | 9,6 | 9,66 |
| Conduction thermique | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Champ électrique de panne | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilité de trou | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs | ~9 | ~9 |
* référence : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.
Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :
| Sic Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Structure cristalline | Blende de zinc (cubique) | Wurtzite (hexagonale) | Wurtzite (hexagonale) |
| Groupe de symétrie | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Module de compressibilité | cm2 de 2,5 x 1012 dyne | cm2 de 2,2 x 1012 dyne | cm2 de 2,2 x 1012 dyne |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| La température de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Point de fusion | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densité | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureté | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microdureté extérieure | 2900-3100 kilogrammes mm-2 | 2900-3100 kilogrammes mm-2 | 2900-3100 kilogrammes mm-2 |
| Constante diélectrique (statique) | ε0 ~= 9,72 | La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée | ε0, ~= 9,66 d'ort |
| Indice de réfraction infrarouge | ~=2.55 | ~=2.55 (axe de c) | ~=2.55 (axe de c) |
| Indice de réfraction n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | ~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | ~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2 | ||
| Coefficient radiatif de recombinaison | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Énergie optique de photon | mev 102,8 | mev 104,2 | mev 104,2 |
| La masse d'électron efficace ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) MOIS | 0.29mo |
| La masse d'électron efficace mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) MOIS | 0.42mo |
| La masse efficace de la densité du mcd d'états | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| La masse efficace de la conductivité MCC | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ? | 0,6 MOIS | ~1,0 MOIS | ~1,0 MOIS |
| Constante de trellis | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
Propriétés sic matérielles
Les matériaux de CARBURE de SILICIUM (sic) métamorphosent actuellement de la recherche et développement dans un produit de marché de fabrication. Sic des substrats sont actuellement employés comme base pour une grande part de production mondiale des diodes électroluminescentes vertes, bleues, et ultra-violettes (LEDs). Les marchés émergents pour sic homoepitaxy incluent les dispositifs de haute puissance de commutation et les dispositifs à micro-ondes pour S et bande x. Les demandes de structures basées sur GaN heteroepitaxial sur sic des substrats incluent la LED et les dispositifs à micro-ondes. Celles-ci des résultats passionnants de dispositif refoulent principalement de l'exploitation des propriétés électriques et thermo-physiques uniques offertes par sic comparé au SI et à la GaAs. Parmi ces derniers soyez : un grand bandgap pour la tenue à hautes températures à opération et à rayonnements ; champ critique élevé de panne pour la sortie de haute puissance ; vitesse d'électron saturée par haute pour l'opération à haute fréquence ; une conduction thermique sensiblement plus élevée pour la gestion thermique des dispositifs de haute puissance.
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Pureté de gaufrette de phosphure d'indium de monocristal grande catégorie de perfection de 4 pouces
