Aperçu ProduitsGaufrette de carbure de silicium

Semi isolation sic de la catégorie factice 10mmx10mm du substrat 6H de carbure de silicium

Semi isolation sic de la catégorie factice 10mmx10mm du substrat 6H de carbure de silicium

Semi Insulating SiC Silicon Carbide Substrate 6H Dummy Grade 10mmx10mm

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Nom: Semi isolation sic de la gaufrette Qualité: Catégorie factice
Description: SEMI substrat 6H Taille: 10mm x 10mm
Mots-clés: gaufrette de carbure de silicium de monocristal sic Application: industrie optoélectronique
Surligner:

4h sic wafer

,

sic wafer

6H sic substrat semi-isolant, catégorie factice, 10mm x 10mm
 

Cristallogénèse sic

La cristallogénèse en vrac est la technique pour la fabrication des substrats mono-cristallins, faisant la base pour davantage de traitement de dispositif. Pour avoir une percée en sic technologie évidemment nous avons besoin de la production sic du substrat avec un process.6H- reproductible et sic les cristaux 4H- sont développés dans des creusets de graphite à températures élevées jusqu'à 2100-2500°C. que la température de fonctionnement dans le creuset est fournie par le chauffage inductif (rf) ou résistif. La croissance se produit sur sic les graines minces. La source représente sic la charge polycristalline de poudre. Sic la vapeur dans la chambre de croissance se compose principalement de trois espèces, à savoir, SI, Si2C, et SiC2, qui sont dilués par le gaz porteur, par exemple, l'argon. Sic l'évolution de source inclut la variation de temps de la porosité et du diamètre de granule et la graphitisation des granules de poudre.

 

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PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

PolytypeMonocristal 4HMonocristal 6H
Paramètres de trellisa=3.076 Åa=3.073 Å
 c=10.053 Åc=15.117 Å
Empilement de l'ordreABCBABCACB
Bande-GapeV 3,26eV 3,03
Densité3,21 · 103 kg/m33,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion4-5×10-6/K4-5×10-6/K
Index de réfractionaucun = 2,719aucun = 2,707
 Ne = 2,777Ne = 2,755
Constante diélectrique9,69,66
Conduction thermique490 W/mK490 W/mK
Champ électrique de panne2-4 · 108 V/m2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation2,0 · 105 m/s2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons800 cm2/V·S400 cm2/V·S
mobilité de trou115 cm2/V·S90 cm2/V·S
Dureté de Mohs~9~9

 

PAM-XIAMEN fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) pour l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est les propriétés électriques uniques d'un materialwith de semi-conducteur de prochaine génération et les excellentes propriétés thermiques pour l'application de dispositif de puissance à hautes températures et élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2~6 pouces, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible.
 

6H sic substrat semi-isolant, catégorie factice, 10mm x 10mm

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRATS6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430
DescriptionSubstrat factice de la catégorie 6HSEMI
Polytype6H
Diamètre(50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur(250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Résistivité (RT)>1E5 Ω·cm
Aspérité< 0="">
FWHM<50 arcsec="">
Densité de MicropipeA+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure
Sur le ± <0001>0.5° d'axe
Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>le ± 0.5°
Orientation plate primaireMettez en parallèle {le ± 5° de 1-100}
Longueur plate primaire± 16,00 1,70 millimètres
SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieureVisage simple ou double poli
EmpaquetageBoîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable≥ 90 %
Exclusion de bord1 millimètre

 
 

Sic isolateurs : Oxydes thermiques et technologie de MOS

 

La grande majorité de blocs de circuit semi-conducteur-intégrés comptent en service aujourd'hui sur l'oxyde métallique de silicium

transistors d'effet de champ de semi-conducteur (transistors MOSFET), dont avantages électroniques et opérationnel

la physique de dispositif sont récapitulées en chapitre de Katsumata et ailleurs. Etant donné l'extrémité

l'utilité et le succès de l'inversion creusent des rigoles l'électronique basée sur transistor MOSFET en silicium de VLSI (aussi bien que

les dispositifs de puissance discrets de silicium), il est naturellement souhaitable de mettre en application l'inversion performante

transistors MOSFET de canal dedans sic. Comme le silicium, forme sic un courant ascendant Semi isolation sic de la catégorie factice 10mmx10mm du substrat 6H de carbure de silicium quand il est suffisamment chauffé dans

environnement de l'oxygène. Tandis que ceci permet sic à la technologie de MOS de suivre légèrement fortement le réussi

le chemin de la technologie de MOS de silicium, là sont néanmoins des différences importantes de qualité d'isolateur et

traitement de dispositif qui empêchent actuellement sic des transistors MOSFET de réaliser leur plein salutaire

potentiel. Tandis que le discours suivant essaye d'accentuer rapidement les questions clés faisant face sic au transistor MOSFET

le développement, des analyses plus détaillées peut être trouvé dans les références 133-142.
 
Au sujet de nous
 
La responsabilité est l'assurance de la qualité, et la qualité est la vie de la société. Nous attendons avec intérêt la coopération à long terme avec des clients, nous ferons le meilleur service et service après-vente pour tous nos clients. Si vous avez n'importe quelle enquête, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Nous vous répondrons à la première fois comme nous pouvons.
 
Après des années du développement, nous avons établi le réseau parfait de ventes et intégré le système de service après-vente à domestique et à l'étranger, qui permet à la société de fournir des services opportuns, précis et efficaces, et avons gagné de bonnes réputations de client. Les produits sont vendus partout en Chine et exportés vers plus de 30 pays et régions telles que l'Europe, l'Amérique, l'Asie du Sud-Est, l'Amérique du Sud, le Moyen-Orient et l'Afrique. Tous la production, le volume de ventes et l'échelle sont se sont rangés d'abord dans la même industrie.

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