Aperçu ProduitsGaufrette de carbure de silicium

de silicium 6H de carbure de gaufrette catégorie de production de substrat sic isolant semi

de silicium 6H de carbure de gaufrette catégorie de production de substrat sic isolant semi

6H Silicon Carbide Wafer SiC Substrate Production Grade Semi Insulating

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Nom: Semi isolation sic de la gaufrette Qualité: Catégorie de production
Application: chercheur Taille: 10mm x 10mm
Description: SEMI substrat 6H Mots-clés: gaufrette de carbure de silicium de semi-conducteur
Polytype: 6h FWHM: <30 arcsec="">
Surligner:

semi standard wafer

,

sic wafer

6H sic substrat semi-isolant, catégorie de production, 10mm x 10mm

 

Montre ici des spécifications de détail :

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Polytype Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
  c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
  Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

6H sic substrat semi-isolant, catégorie de production, 10mm x 10mm

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT S6H-51-SI-PWAM-250 S6H-51-SI-PWAM-330 S6H-51-SI-PWAM-430
Description Substrat de la catégorie 6Hde productionSEMI
Polytype 6H
Diamètre (50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Résistivité (RT) >1E5 Ω·cm
Aspérité < 0="">
FWHM <30 arcsec="">
Densité de Micropipe A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure
Sur le ± <0001>0.5° d'axe
Outre de l'axe 3.5° vers <11-20>le ± 0.5°
Orientation plate primaire ± 5° du parallèle {1-100}
Longueur plate primaire ± 16,00 1,70 millimètres
SI-visage plat secondaire d'orientation : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire ± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieure Visage simple ou double poli
Empaquetage Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable ≥ 90 %
Exclusion de bord 1 millimètre

 

Structure cristalline sic

 

Sic le cristal a beaucoup de différentes structures cristallines, qui s'appelle les polytypes. Les polytypes les plus communs sic actuellement d'être développé pour l'électronique sont les 3C-SiC cubiques, les 4H-SiC et les 6H-SiC hexagonaux, et les 15R-SiC rhomboédriques. Ces polytypes sont caractérisés par l'ordre de empilement des couches de biatom sic de la structure. Pour plus de détails, enquérez-vous svp notre équipe d'ingénieur.

 

PAM-XIAMEN offre des gaufrettes de carbure de silicium de semi-conducteur, 6H sic et 4H sic dans différentes classes de qualité pour des fabricants de chercheur et d'industrie. Nous a développé la technologie de cristallogénèse sic et la technologie transformatrice de gaufrette sic en cristal, établies une chaîne de production au fabricant SiCsubstrate, qui est appliqué dans le dispositif d'épitaxie de GaN, les dispositifs de puissance, le dispositif à hautes températures et des dispositifs optoélectroniques. Comme une société professionnelle investie par les principaux fabricants des champs des instituts matériels avancés et de pointe de recherches et d'état et du laboratoire du semi-conducteur de la Chine, nous sont consacrées pour améliorer sans interruption la qualité actuellement des substrats et pour développer les substrats de grande taille.

 

Systèmes sic MicroElectromechanical (MEMS) et capteurs

 

Comme décrit en chapitre de Hesketh sur micromachining dans ce livre, le développement et l'utilisation de MEMS siliconbased continue à augmenter. Tandis que les sections précédentes de ce chapitre ont porté sur l'utilisation de sic pour les appareils électroniques traditionnels de semi-conducteur, sic est également prévu jouer un rôle significatif dans des applications naissantes de MEMS. A sic les excellentes propriétés mécaniques qui adressent quelques points faibles de MEMS basé sur silicium tels que la dureté extrême et bas le frottement ramenant l'usage- mécanique aussi bien que l'excellente inertie chimique aux atmosphères corrosives. Par exemple, l'excellente longévité de SiCs est examinée comme permettant pour l'opération de long-durée des micromotors électriques et des sources micro de production d'électricité de moteur à réaction où les propriétés mécaniques du silicium semblent être insuffisantes.

 

Au sujet de nous

 

La responsabilité est l'assurance de la qualité, et la qualité est la vie de la société. Nous attendons avec intérêt la coopération à long terme avec des clients, nous ferons le meilleur service et service après-vente pour tous nos clients. Si vous avez n'importe quelle enquête, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Nous vous répondrons à la première fois comme nous pouvons.

 

Après des années du développement, nous avons établi le réseau parfait de ventes et intégré le système de service après-vente à domestique et à l'étranger, qui permet à la société de fournir des services opportuns, précis et efficaces, et avons gagné de bonnes réputations de client. Les produits sont vendus partout en Chine et exportés vers plus de 30 pays et régions telles que l'Europe, l'Amérique, l'Asie du Sud-Est, l'Amérique du Sud, le Moyen-Orient et l'Afrique. Tous la production, le volume de ventes et l'échelle sont se sont rangés d'abord dans la même industrie.

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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