Aperçu ProduitsGaufrette de carbure de silicium

Type de 4h monocristal de N de catégorie de gaufrette sic d'utilisation optoélectronique factice d'industrie

Type de 4h monocristal de N de catégorie de gaufrette sic d'utilisation optoélectronique factice d'industrie

N Type 4h Sic Wafer Dummy Grade Optoelectronic Industry Use Single Crystal

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Taille: 10mm x 10mm Nom: gaufrette de carbure de silicium de monocristal sic
Qualité: Catégorie factice Description: N dactylographient SIC la gaufrette
Mots-clés: De silicium de carbure gaufrette sic Application: industrie optoélectronique
Sur l'axe: <0001>± 0.5° Outre de l'axe: 4°or 8° vers <11-20>± 0.5°
Surligner:

4h sic wafer

,

sic wafer

type sic matériel de gaufrette, catégorie factice, 10mm x 10m de 4H N

 

défauts sic en cristal

La plupart des défauts qui ont été observés dedans sic ont été également observées en d'autres matériaux cristallins. Comme les dislocations, les défauts d'empilement (SFs), les frontières (LABs) d'angle faible et les jumeaux. Quelques autres apparaissent en matériaux ayant le mélange de Zing- ou la structure de wurtzite, comme l'IDBs. Micropipes et inclusions d'autres phases apparaissent principalement dedans sic.

PAM-XIAMEN fournit la gaufrette de haute qualité de monocristal sic (carbure de silicium) pour l'industrie électronique et optoélectronique. Sic la gaufrette est les propriétés électriques uniques d'un materialwith de semi-conducteur de prochaine génération et les excellentes propriétés thermiques pour l'application de dispositif de puissance à hautes températures et élevée. Sic la gaufrette peut être fournie de diamètre 2~6 pouces, 4H et 6H sic, de type n, azote enduit, et type semi-isolant disponible.

 

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PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Polytype Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
  c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
  Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

type sic gaufrette, catégorie factice, 10mm x 10mm de 4H N

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
Description Substrat factice de la catégorie 4H sic
Polytype 4H
Diamètre (50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Type de transporteur de type n
Dopant Azote
Résistivité (RT) 0,012 – 0,0028 Ω·cm
Aspérité < 0="">
FWHM <50 arcsec="">
Densité de Micropipe A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure  
Sur l'axe <0001>± 0.5°
Outre de l'axe 4°or 8° vers <11-20>le ± 0.5°
Orientation plate primaire Mettez en parallèle {le ± 5° de 1-100}
Longueur plate primaire ± 16,00 1,70) millimètre
Orientation plate secondaire SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire ± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieure Visage simple ou double poli
Empaquetage Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable ≥ 90 %
Exclusion de bord 1 millimètre

 

 

Systèmes sic MicroElectromechanical (MEMS) et capteurs

Comme décrit en chapitre de Hesketh sur micromachining dans ce livre, le développement et l'utilisation de MEMS siliconbased continue à augmenter. Tandis que les sections précédentes de ce chapitre ont porté sur l'utilisation de sic pour les appareils électroniques traditionnels de semi-conducteur, sic est également prévu jouer un rôle significatif dans des applications naissantes de MEMS. A sic les excellentes propriétés mécaniques qui adressent quelques points faibles de MEMS basé sur silicium tels que la dureté extrême et bas le frottement ramenant l'usage- mécanique aussi bien que l'excellente inertie chimique aux atmosphères corrosives. Par exemple, l'excellente longévité de SiCs est examinée comme permettant pour l'opération de long-durée des micromotors électriques et des sources micro de production d'électricité de moteur à réaction où les propriétés mécaniques du silicium semblent être insuffisantes.

 

Pour des applications exigeant la haute température, on a également proposé l'électronique de bas-fuite sic non possible avec sic les couches déposées sur le silicium (transistors à hautes températures y compris, comme évoqué dans section 5.6.2), concepts pour intégrer l'électronique beaucoup plus capable avec MEMS sur sic les gaufrettes 4H/6H avec des épicouches. Par exemple, des capteurs de pression étant développés pour l'usage dans des régions plus élevées de la température des moteurs à réaction sont mis en application dans 6H-SiC, en grande partie dû au fait que la basse fuite de jonction est exigée pour réaliser l'opération appropriée de capteur. la Sur-puce 4H/6H a intégré l'électronique de transistor qui permettent avantageusement le traitement de signal au site de détection à hautes températures également sont développées. Avec tous les capteurs basés sur micromécanique, il est essentiel d'empaqueter le capteur en quelque sorte qui réduit au minimum l'imposition des efforts induits thermomécaniques (qui surgissent dû au coefficient de dilatation thermique mal adaptent au-dessus des envergures beaucoup plus grandes de la température permises par sic) sur les éléments de détection. Par conséquent (comme mentionné précédemment dans section 5.5.6), l'emballage avancé est presque aussi critique que l'utilisation de sic vers augmenter utilement l'enveloppe opérationnelle de MEMS dans les environnements durs.

 

Au sujet de nous

 

Amélioration continue, niveau plus de haute qualité de recherche. Notre personnel de vente fortement consacré n'a jamais lancé à partir d'aller que mille supplémentaire répondre et dépasser aux attentes du client. Nous ne traitons nos clients avec la mêmes fidélité et dévotion, aucune matière la taille de leurs affaires ou industrie.

 

Nous avons un atelier propre et rangé, large et une équipe de production et de développement avec une expérience riche, fournissant le soutien important pour vos besoins de R&D et de production ! Tous nos produits sont conformes aux normes de qualité internationales et sont considérablement appréciés sur un grand choix de différents marchés dans le monde entier. Si vous êtes intéressé par un quelconque de nos produits ou voudriez discuter une commande à façon, sentez-vous svp libre pour nous contacter. Nous attendons avec intérêt de former des relations d'affaires réussies avec de nouveaux clients autour du monde dans un avenir proche.

 

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