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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | PAM-XIAMEN |
| Quantité de commande min: | 1-10,000pcs |
|---|---|
| Prix: | By Case |
| Délai de livraison: | 5-50 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement: | 10 000 gaufrettes/mois |
| Qualité: | Production | Nom: | gaufrette de carbure de silicium de semi-conducteur |
|---|---|---|---|
| Application: | chercheur | Description: | SIC gaufrette de carbure de silicium |
| Taille: | 10mm x 10mm | Mots-clés: | sic gaufrette |
| Résistivité (RT): | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | Longueur plate secondaire: | ± 8,00 1,70 millimètres |
| Surligner: | 4h sic wafer,sic wafer |
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Sur-axe ou type sic matériel de gaufrette, catégorie de production, 10mm x 10mm de 4deg.Off 4H N
Montre ici des spécifications de détail :
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
| Polytype | Monocristal 4H | Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
| Bande-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densité | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Index de réfraction | aucun = 2,719 | aucun = 2,707 |
| Ne = 2,777 | Ne = 2,755 | |
| Constante diélectrique | 9,6 | 9,66 |
| Conduction thermique | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Champ électrique de panne | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilité de trou | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs | ~9 | ~9 |
type sic gaufrette, catégorie de production, 10mm x 10mm de 4H N
| PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT | S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430 | |
| Description | Substrat de la catégorie 4H de production sic | |
| Polytype | 4H | |
| Diamètre | (50,8 ± 0,38) millimètre | |
| Épaisseur | (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25) | |
| Type de transporteur | de type n | |
| Dopant | Azote | |
| Résistivité (RT) | 0,012 – 0,0028 Ω·cm | |
| Aspérité | < 0=""> | |
| FWHM | <30 arcsec=""> | |
| Densité de Micropipe | A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2 | |
| Orientation extérieure | ||
| Sur l'axe | <0001>± 0.5° | |
| Outre de l'axe | 4°or 8° vers <11-20>le ± 0.5° | |
| Orientation plate primaire | ± 5° du parallèle {1-100} | |
| Longueur plate primaire | ± 16,00 1,70) millimètre | |
| Orientation plate secondaire | SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation | |
| C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation | ||
| Longueur plate secondaire | ± 8,00 1,70 millimètres | |
| Finition extérieure | Visage simple ou double poli | |
| Empaquetage | Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette | |
| Secteur utilisable | ≥ 90 % | |
| Exclusion de bord | 1 millimètre | |
Propriétés de monocristal sic
Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.
Propriété de de carbure de silicium (sic)
Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :
| Propriété | Valeur | Conditions |
| Densité | 3217 kg/m^3 | hexagonal |
| Densité | 3210 kg/m^3 | cubique |
| Densité | 3200 kg/m^3 | Monocristal |
| Dureté, Knoop (KH) | 2960 kg/mm/mm | 100g, en céramique, noir |
| Dureté, Knoop (KH) | 2745 kg/mm/mm | 100g, en céramique, vert |
| Dureté, Knoop (KH) | 2480 kg/mm/mm | Monocristal. |
| Module de Young | 700 GPa | Monocristal. |
| Module de Young | 410,47 GPa | En céramique, density=3120 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Module de Young | 401,38 GPa | En céramique, density=3128 kg/m/m/m, à la température ambiante |
| Conduction thermique | 350 W/m/K | Monocristal. |
| Limite conventionnelle d'élasticité | 21 GPa | Monocristal. |
| Capacité de chaleur | 1,46 J/mol/K | En céramique, à temp=1550 C. |
| Capacité de chaleur | 1,38 J/mol/K | En céramique, à temp=1350 C. |
| Capacité de chaleur | 1,34 J/mol/K | En céramique, à temp=1200 C. |
| Capacité de chaleur | 1,25 J/mol/K | En céramique, à temp=1000 C. |
| Capacité de chaleur | 1,13 J/mol/K | En céramique, à temp=700 C. |
| Capacité de chaleur | 1,09 J/mol/K | En céramique, à temp=540 C. |
| Résistivité électrique | 1. 1e+10 Ω*m | En céramique, à temp=20 C |
| Résistance à la pression | 0,5655. 1,3793 GPa | En céramique, à temp=25 C |
| Module de la rupture | 0,2897 GPa | En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance |
| Module de la rupture | 0,1862 GPa | Ceramifc, à la température ambiante |
| Le coefficient de Poisson | 0,183. 0,192 | En céramique, à la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m |
| Module de la rupture | 0,1724 GPa | En céramique, à temp=1300 C |
| Module de la rupture | 0,1034 GPa | En céramique, à temp=1800 C |
| Module de la rupture | 0,07586 GPa | En céramique, à temp=1400 C |
| Résistance à la traction | 0,03448. 0,1379 GPa | En céramique, à temp=25 C |
* référence : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle
Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :
| Propriété | Monocristal 4H | Monocristal 6H |
| Paramètres de trellis | a=3.076 Å | a=3.073 Å |
| c=10.053 Å | c=15.117 Å | |
| Empilement de l'ordre | ABCB | ABCACB |
| Bande-Gap | eV 3,26 | eV 3,03 |
| Densité | 3,21 · 103 kg/m3 | 3,21 · 103 kg/m3 |
| Therm. Coefficient d'expansion | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Index de réfraction | aucun = 2,719 | aucun = 2,707 |
| Ne = 2,777 | Ne = 2,755 | |
| Constante diélectrique | 9,6 | 9,66 |
| Conduction thermique | 490 W/mK | 490 W/mK |
| Champ électrique de panne | 2-4 · 108 V/m | 2-4 · 108 V/m |
| Vitesse de dérive de saturation | 2,0 · 105 m/s | 2,0 · 105 m/s |
| Mobilité des électrons | 800 cm2/V·S | 400 cm2/V·S |
| mobilité de trou | 115 cm2/V·S | 90 cm2/V·S |
| Dureté de Mohs | ~9 | ~9 |
* référence : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.
Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :
| Sic Polytype | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
| Structure cristalline | Blende de zinc (cubique) | Wurtzite (hexagonale) | Wurtzite (hexagonale) |
| Groupe de symétrie | T2d-F43m | C46v-P63mc | C46v-P63mc |
| Module de compressibilité | cm2 de 2,5 x 1012 dyne | cm2 de 2,2 x 1012 dyne | cm2 de 2,2 x 1012 dyne |
| Coefficient linéaire de dilatation thermique | 2,77 (42) x 10-6 K-1 | ||
| La température de Debye | K 1200 | K 1300 | K 1200 |
| Point de fusion | 3103 (40) K | 3103 ± 40 K | 3103 ± 40 K |
| Densité | 3,166 g cm-3 | 3,21 g cm-3 | 3,211 g cm-3 |
| Dureté | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 | 9.2-9.3 |
| Microdureté extérieure | 2900-3100 kilogrammes mm-2 | 2900-3100 kilogrammes mm-2 | 2900-3100 kilogrammes mm-2 |
| Constante diélectrique (statique) | ε0 ~= 9,72 | La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée | ε0, ~= 9,66 d'ort |
| Indice de réfraction infrarouge | ~=2.55 | ~=2.55 (axe de c) | ~=2.55 (axe de c) |
| Indice de réfraction n (λ) | ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 | ~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 | ~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2 |
| ~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2 | ~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2 | ||
| Coefficient radiatif de recombinaison | 1,5 x 10-12 cm3/s | 1,5 x 10-12 cm3/s | |
| Énergie optique de photon | mev 102,8 | mev 104,2 | mev 104,2 |
| La masse d'électron efficace ml (longitudinal) | 0.68mo | 0.677(15) MOIS | 0.29mo |
| La masse d'électron efficace mt (transversal) | 0.25mo | 0.247(11) MOIS | 0.42mo |
| La masse efficace de la densité du mcd d'états | 0.72mo | 0.77mo | 2.34mo |
| La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie | 0.35mo | 0.37mo | 0.71mo |
| La masse efficace de la conductivité MCC | 0.32mo | 0.36mo | 0.57mo |
| La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ? | 0,6 MOIS | ~1,0 MOIS | ~1,0 MOIS |
| Constante de trellis | a=4.3596 A | a = 3,0730 A | a = 3,0730 A |
| b = 10,053 | b = 10,053 |
* référence : IOFFE
Sic référence du fabricant 4H et sic 6H : PAM-XIAMEN est le promoteur principal mondial de la technologie à semi-conducteur d'éclairage, il offre un en trait plein : De Sinlge de cristal gaufrette sic et gaufrette épitaxiale et sic récupération de gaufrette
Panne électrique
La panne électrique de terme ou la panne électrique a plusieurs significations semblables mais distinctement différentes. Par exemple, le terme peut s'appliquer à l'échec d'un circuit électrique. Alternativement, il peut se rapporter à une réduction rapide de la résistance d'un isolateur électrique autour du lequel peut mener à l'aspark sauter ou par l'isolateur. Ceci peut être un événement momentané (comme dans une décharge électrostatique), ou peut mener à une décharge de continuousarc si les dispositifs de protection n'interrompent pas le courant dans un circuit de puissance élevée.
Il y a actuellement beaucoup d'intérêt pour son utilisation comme matériel de semi-conducteur dans l'électronique, où sa conduction thermique élevée, haute résistance de panne de champ électrique et densité de courant maximum élevée le rendent plus prometteur que le silicium pour les dispositifs haute puissance
Service
le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.
La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.
L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.
Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.
Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.
Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.
Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.
Au sujet de nous
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Pureté de gaufrette de phosphure d'indium de monocristal grande catégorie de perfection de 4 pouces
