Aperçu ProduitsGaufrette de carbure de silicium

Sur la gaufrette de carbure de silicium d'axe sic 4 degrés outre de 4H N dactylographient la catégorie de production

Sur la gaufrette de carbure de silicium d'axe sic 4 degrés outre de 4H N dactylographient la catégorie de production

On Axis Sic Silicon Carbide Wafer 4 Deg Off 4H N Type Production Grade

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Qualité: Production Nom: gaufrette de carbure de silicium de semi-conducteur
Application: chercheur Description: SIC gaufrette de carbure de silicium
Taille: 10mm x 10mm Mots-clés: sic gaufrette
Résistivité (RT): 0,012 – 0,0028 Ω·cm Longueur plate secondaire: ± 8,00 1,70 millimètres
Surligner:

4h sic wafer

,

sic wafer

Sur-axe ou type sic matériel de gaufrette, catégorie de production, 10mm x 10mm de 4deg.Off 4H N

 

Montre ici des spécifications de détail :

PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM

Polytype Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
  c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
  Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

 

type sic gaufrette, catégorie de production, 10mm x 10mm de 4H N

 

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT S4H-51-N-PWAM-330 S4H-51-N-PWAM-430
Description Substrat de la catégorie 4H de production sic
Polytype 4H
Diamètre (50,8 ± 0,38) millimètre
Épaisseur (250 ± 25) μm de μm de μm (330 ± 25) (430 ± 25)
Type de transporteur de type n
Dopant Azote
Résistivité (RT) 0,012 – 0,0028 Ω·cm
Aspérité < 0="">
FWHM <30 arcsec="">
Densité de Micropipe A+≤1cm-2 A≤10cm-2 B≤30cm-2 C≤50cm-2 D≤100cm-2
Orientation extérieure  
Sur l'axe <0001>± 0.5°
Outre de l'axe 4°or 8° vers <11-20>le ± 0.5°
Orientation plate primaire ± 5° du parallèle {1-100}
Longueur plate primaire ± 16,00 1,70) millimètre
Orientation plate secondaire SI-visage : onde entretenue de 90°. du ± plat 5° d'orientation
C-visage : CCW de 90°. du ± plat 5° d'orientation
Longueur plate secondaire ± 8,00 1,70 millimètres
Finition extérieure Visage simple ou double poli
Empaquetage Boîte simple de gaufrette ou boîte multi de gaufrette
Secteur utilisable ≥ 90 %
Exclusion de bord 1 millimètre
     

 

Propriétés de monocristal sic

Ici nous comparons la propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, CubicSiC, monocristal sic.

Propriété de   de carbure de silicium (sic)

Comparaison de propriété du carbure de silicium, y compris hexagonal sic, cubique sic, monocristal sic :

Propriété Valeur Conditions
Densité 3217 kg/m^3 hexagonal
Densité 3210 kg/m^3 cubique
Densité 3200 kg/m^3 Monocristal
Dureté, Knoop (KH) 2960 kg/mm/mm 100g, en céramique, noir
Dureté, Knoop (KH) 2745 kg/mm/mm 100g, en céramique, vert
Dureté, Knoop (KH) 2480 kg/mm/mm Monocristal.
Module de Young 700 GPa Monocristal.
Module de Young 410,47 GPa En céramique, density=3120 kg/m/m/m, à la température ambiante
Module de Young 401,38 GPa En céramique, density=3128 kg/m/m/m, à la température ambiante
Conduction thermique 350 W/m/K Monocristal.
Limite conventionnelle d'élasticité 21 GPa Monocristal.
Capacité de chaleur 1,46 J/mol/K En céramique, à temp=1550 C.
Capacité de chaleur 1,38 J/mol/K En céramique, à temp=1350 C.
Capacité de chaleur 1,34 J/mol/K En céramique, à temp=1200 C.
Capacité de chaleur 1,25 J/mol/K En céramique, à temp=1000 C.
Capacité de chaleur 1,13 J/mol/K En céramique, à temp=700 C.
Capacité de chaleur 1,09 J/mol/K En céramique, à temp=540 C.
Résistivité électrique 1. 1e+10 Ω*m En céramique, à temp=20 C
Résistance à la pression 0,5655. 1,3793 GPa En céramique, à temp=25 C
Module de la rupture 0,2897 GPa En céramique, avec 1 % poids B de provoquant une dépendance
Module de la rupture 0,1862 GPa Ceramifc, à la température ambiante
Le coefficient de Poisson 0,183. 0,192 En céramique, à la température ambiante, density=3128 kg/m/m/m
Module de la rupture 0,1724 GPa En céramique, à temp=1300 C
Module de la rupture 0,1034 GPa En céramique, à temp=1800 C
Module de la rupture 0,07586 GPa En céramique, à temp=1400 C
Résistance à la traction 0,03448. 0,1379 GPa En céramique, à temp=25 C

 

* référence : Manuel de science des matériaux et d'ingénierie de centre de détection et de contrôle

Comparaison de propriété de monocristal sic, de 6H et de 4H :

Propriété Monocristal 4H Monocristal 6H
Paramètres de trellis a=3.076 Å a=3.073 Å
c=10.053 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre ABCB ABCACB
Bande-Gap eV 3,26 eV 3,03
Densité 3,21 · 103 kg/m3 3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coefficient d'expansion 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Index de réfraction aucun = 2,719 aucun = 2,707
Ne = 2,777 Ne = 2,755
Constante diélectrique 9,6 9,66
Conduction thermique 490 W/mK 490 W/mK
Champ électrique de panne 2-4 · 108 V/m 2-4 · 108 V/m
Vitesse de dérive de saturation 2,0 · 105 m/s 2,0 · 105 m/s
Mobilité des électrons 800 cm2/V·S 400 cm2/V·S
mobilité de trou 115 cm2/V·S 90 cm2/V·S
Dureté de Mohs ~9 ~9

 

* référence : Xiamen Powerway Advanced Material Co.,Ltd.

Comparaison de propriété de 3C-SiC, de 4H-SiC et de 6H-SiC :

Sic Polytype 3C-SiC 4H-SiC 6H-SiC
Structure cristalline Blende de zinc (cubique) Wurtzite (hexagonale) Wurtzite (hexagonale)
Groupe de symétrie T2d-F43m C46v-P63mc C46v-P63mc
Module de compressibilité cm2 de 2,5 x 1012 dyne cm2 de 2,2 x 1012 dyne cm2 de 2,2 x 1012 dyne
Coefficient linéaire de dilatation thermique 2,77 (42) x 10-6 K-1    
La température de Debye K 1200 K 1300 K 1200
Point de fusion 3103 (40) K 3103 ± 40 K 3103 ± 40 K
Densité 3,166 g cm-3 3,21 g cm-3 3,211 g cm-3
Dureté 9.2-9.3 9.2-9.3 9.2-9.3
Microdureté extérieure 2900-3100 kilogrammes mm-2 2900-3100 kilogrammes mm-2 2900-3100 kilogrammes mm-2
Constante diélectrique (statique) ε0 ~= 9,72 La valeur de la constante 6H-SiC diélectrique est habituellement employée ε0, ~= 9,66 d'ort
Indice de réfraction infrarouge ~=2.55 ~=2.55 (axe de c) ~=2.55 (axe de c)
Indice de réfraction n (λ) ~= 2,55378 + 3,417 x 104 de n (λ)·λ-2 ~= n0 (λ) 2,5610 + 3,4 x 104·λ-2 ~= n0 (λ) 2,55531 + 3,34 x 104·λ-2
~= 2,6041 + 3,75 x 104 de Ne (λ)·λ-2 ~= 2,5852 + 3,68 x 104 de Ne (λ)·λ-2
Coefficient radiatif de recombinaison   1,5 x 10-12 cm3/s 1,5 x 10-12 cm3/s
Énergie optique de photon mev 102,8 mev 104,2 mev 104,2
La masse d'électron efficace ml (longitudinal) 0.68mo 0.677(15) MOIS 0.29mo
La masse d'électron efficace mt (transversal) 0.25mo 0.247(11) MOIS 0.42mo
La masse efficace de la densité du mcd d'états 0.72mo 0.77mo 2.34mo
La masse efficace de la densité des états en une vallée de bande de conduction mètre-bougie 0.35mo 0.37mo 0.71mo
La masse efficace de la conductivité MCC 0.32mo 0.36mo 0.57mo
La masse efficace de hall de la densité de l'état système mv ? 0,6 MOIS ~1,0 MOIS ~1,0 MOIS
Constante de trellis a=4.3596 A a = 3,0730 A a = 3,0730 A
b = 10,053 b = 10,053

* référence : IOFFE

Sic référence du fabricant 4H et sic 6H : PAM-XIAMEN est le promoteur principal mondial de la technologie à semi-conducteur d'éclairage, il offre un en trait plein : De Sinlge de cristal gaufrette sic et gaufrette épitaxiale et sic récupération de gaufrette

 

Panne électrique

La panne électrique de terme ou la panne électrique a plusieurs significations semblables mais distinctement différentes. Par exemple, le terme peut s'appliquer à l'échec d'un circuit électrique. Alternativement, il peut se rapporter à une réduction rapide de la résistance d'un isolateur électrique autour du lequel peut mener à l'aspark sauter ou par l'isolateur. Ceci peut être un événement momentané (comme dans une décharge électrostatique), ou peut mener à une décharge de continuousarc si les dispositifs de protection n'interrompent pas le courant dans un circuit de puissance élevée.

Il y a actuellement beaucoup d'intérêt pour son utilisation comme matériel de semi-conducteur dans l'électronique, où sa conduction thermique élevée, haute résistance de panne de champ électrique et densité de courant maximum élevée le rendent plus prometteur que le silicium pour les dispositifs haute puissance

 

Service

 

le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.

La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.

L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

 

Au sujet de nous

 

Amélioration continue, niveau plus de haute qualité de recherche. Notre personnel de vente fortement consacré n'a jamais lancé à partir d'aller que mille supplémentaire répondre et dépasser aux attentes du client. Nous ne traitons nos clients avec la mêmes fidélité et dévotion, aucune matière la taille de leurs affaires ou industrie.

 

Nous avons un atelier propre et rangé, large et une équipe de production et de développement avec une expérience riche, fournissant le soutien important pour vos besoins de R&D et de production ! Tous nos produits sont conformes aux normes de qualité internationales et sont considérablement appréciés sur un grand choix de différents marchés dans le monde entier. Si vous êtes intéressé par un quelconque de nos produits ou voudriez discuter une commande à façon, sentez-vous svp libre pour nous contacter. Nous attendons avec intérêt de former des relations d'affaires réussies avec de nouveaux clients autour du monde dans un avenir proche.

 

Coordonnées
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