Aperçu ProduitsGaufrette d'arséniure de gallium

Type de haute résistance de la catégorie mécanique N de substrat d'arséniure de gallium de 6 pouces

Type de haute résistance de la catégorie mécanique N de substrat d'arséniure de gallium de 6 pouces

6 Inch Gallium Arsenide Substrate Mechanical Grade High Resistance N Type

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Nom du produit: gaufrette de GaAs Gaufrette Diamter: 6 pouces
Type de conduction: Semi-isolant Qualité: Catégorie mécanique
Utilisation: La microélectronique Mot-clé: Gaufrette d'arséniure de gallium
Surligner:

n type silicon wafer

,

p type silicon wafer

Semi-isolant, substrat d'arséniure de gallium, 6", catégorie mécanique

 

 

(6 gaufrettes d'arséniure de gallium de ″ (150mm) (GaAs), semi-isolantes pour des applications de la microélectronique

Article Caractéristiques Remarques
Type de conduction

 

Semi-isolant

 
Méthode de croissance VGF  
Dopant Non dopé  
Type N  
Diamater (millimètres) 150±0.25  
Orientation

 

(100) 0°±3.0°

 
Orientation d'ENTAILLE (010) ±2°  
ENTAILLE Deepth (millimètres) (1-1.25) millimètres 89°-95°  
Concentration en transporteur

 

NON-DÉTERMINÉ

 
Résistivité (ohm.cm >1.0×107 ou 0.8-9 x10-3  
Mobilité (cm2/v.s) NON-DÉTERMINÉ  
Dislocation

 

NON-DÉTERMINÉ

 
Épaisseur (µm)

 

675±25

 
Exclusion de bord pour l'arc et la chaîne (millimètre) NON-DÉTERMINÉ  
Arc (µm) NON-DÉTERMINÉ  
Chaîne (µm)

 

≤20.0

 
TTV (µm) ≤10.0  
TIR (µm) ≤10.0  
LFPD (µm)

 

NON-DÉTERMINÉ

 
Polonais P/P Epi-prêt  

 

Propriétés de cristal de GaAs

Propriétés GaAs
Atoms/cm3 4,42 x 1022
Poids atomique 144,63
Champ de panne approximativement 4 x 105
Structure cristalline Zincblende
Densité (g/cm3) 5,32
Constante diélectrique 13,1
Densité efficace des états dans la bande de conduction, OR (cm-3) 4,7 x 1017
Densité efficace des états dans la bande de valence, nanovolt (cm-3) 7,0 x 1018
Affinité d'électron (v) 4,07
Domaine d'énergie à 300K (eV) 1,424
Concentration en transporteur intrinsèque (cm-3) 1,79 x 106
Longueur de Debye intrinsèque (microns) 2250
Résistivité intrinsèque (ohm-cm) 108
Constante de trellis (angströms) 5,6533
Coefficient linéaire de dilatation thermique, 6,86 x 10-6
ΔL/L/ΔT (1 deg. C)
Point de fusion (deg. C) 1238
Vie de transporteur de minorité (s) approximativement 10-8
Mobilité (dérive) 8500
(cm2 de /V-s)
µn, électrons
Mobilité (dérive) 400
(cm2 de /V-s)
µp, trous
Énergie optique (eV) de phonon 0,035
Parcours moyen de phonon libre (angströms) 58
La chaleur spécifique 0,35
(J/g-deg C)
Conduction thermique à 300 K 0,46
(W/cm-degC)
Diffusivité thermique (cm2/sec) 0,24
Pression de vapeur (Pa) 100 à 1050 deg. C ;
1 à 900 deg. C

 

 

 

Quelle est gaufrette de GaAs ?

 

La gaufrette de GaAs est un matériel important de semiconducor. Elle appartient pour grouper le semi-conducteur de composé d'III-V. C'est un type de sphalérite structure de trellis avec une constante de trellis de 5.65x 10-10m, un point de fusion du ℃ 1237 et un espace de bande de 1,4 EV. L'arséniure de gallium peut être transformé en isoler semi les matériaux de haute résistance avec la résistivité plus haut que le silicium et le germanium par plus de trois ordres de grandeur, qui peuvent être employés pour faire le substrat de circuit intégré, le détecteur infrarouge, le détecteur de photons de γ, etc. Puisque sa mobilité des électrons est 5-6 chronomètre plus grand que cela du silicium, elle a été très utilisée dans des dispositifs à micro-ondes et des circuits numériques ultra-rapides. Le dispositif de semi-conducteur fait en GaAs a les avantages de la tenue à haute fréquence, à hautes températures et basse à température, à faible bruit et forte aux rayonnements. En outre, il peut également être employé pour faire des dispositifs d'effet en vrac.

 

Quelles sont les propriétés mécaniques, constantes élastiques, vibrations de trellis de gaufrette de GaAs ?

Paramètre de base

Module de compressibilité 7,53·cm2 de 1011 dyne
Densité 5,317 g cm-3
Dureté sur l'échelle de Mohs entre 4 et 5
Microdureté extérieure (utilisant l'essai de la pyramide de Knoop) 750 kilogrammes mm-2
Avion de décolleté {110}
Constante piézoélectrique e14=-0.16 C m2

Constantes élastiques 300 K.

C11=11.90·1011 dyne/cm2
C12=5.34·1011 dyne/cm2
C44=5.96·1011 dyne/cm2

Type de haute résistance de la catégorie mécanique N de substrat d'arséniure de gallium de 6 pouces Les dépendances de la température des constantes élastiques.
Pour 0 C11= 12,17 - 1,44·10-3T
C12= 5,46 - 0,64·10-3T
C44= 6,16 - 0,70·10-3T
 

Pour T = 300 K

Module de compressibilité (compressibility-1) Bs= 7,53·1011dyn/cm2
Module de cisaillement C'= 3,285·1011dyn/cm2
[100] module de Young Yo= 8,59·1011dyn/cm2
[100] coefficient de Poisson σo = 0,31

Vitesses d'onde acoustique

Vague
propagation
Direction
Vague
caractère
Expression pour la vitesse de vague Vitesse de vague
(dans les unités de
105 cm/s)
[100] VL (C11/ρ) 1/2 4,73
VT (C44/ρ) 1/2 3,35
[110] Vl [(C11+Cl2+2C44)/2ρ] 1/2 5,24
VT|| VT||=VT= (C44/ρ) 1/2 3,35
Vt⊥ [(C11-C12)/2ρ] 1/2 2,48
[111] Vl [(C11+2C12+4C44)/3ρ] 1/2 5,4
Vt [(C11-C12+C44)/3ρ] 1/2 2,8

Fréquences de phonon

(dans les unités de 1012 hertz)

νTO (Γ) 8,02 νLO (x) 7,22
νLO (Γ) 8,55 νTA (L) 1,86
νTA (X) 2,36 νLA (L) 6,26
νLA (X) 6,80 νTO (L) 7,84
νTO (X) 7,56 νLO (L) 7,15

 

Service

 

le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.

La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.

L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

 

Au sujet de nous

 

Amélioration continue, niveau plus de haute qualité de recherche. Notre personnel de vente fortement consacré n'a jamais lancé à partir d'aller que mille supplémentaire répondre et dépasser aux attentes du client. Nous ne traitons nos clients avec la mêmes fidélité et dévotion, aucune matière la taille de leurs affaires ou industrie.

 

Nous avons un atelier propre et rangé, large et une équipe de production et de développement avec une expérience riche, fournissant le soutien important pour vos besoins de R&D et de production ! Tous nos produits sont conformes aux normes de qualité internationales et sont considérablement appréciés sur un grand choix de différents marchés dans le monde entier. Si vous êtes intéressé par un quelconque de nos produits ou voudriez discuter une commande à façon, sentez-vous svp libre pour nous contacter. Nous attendons avec intérêt de former des relations d'affaires réussies avec de nouveaux clients autour du monde dans un avenir proche.

 

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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