Aperçu Produitsgaufrette d'arséniure d'indium

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces

Zn Doped InAs Wafer Single Crystal 2 Inch Test Grade Wafer P Type

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Type de conduction: Type de P Épaisseur de gaufrette: 500±25um
Gaufrette Diamter: 2 pouces Nom du produit: P dactylographient la gaufrette d'arséniure d'indium d'InAs
Qualité: Examinez la catégorie Mot-clé: Gaufrette d'InAs
Longueur plate primaire: 16±2mm Longueur plate secondaire: 8±1mm
Surligner:

n type wafer

,

3 inch wafer

P dactylographient, la gaufrette Zn-enduite d'InAs de monocristal, 2", catégorie d'essai

 

2" spécifications de gaufrette d'InAs

Article Caractéristiques
Dopant Zinc
Type de conduction de type p
Diamètre de gaufrette 2"
Orientation de gaufrette (100) ±0.5°
Épaisseur de gaufrette 500±25um
Longueur plate primaire 16±2mm
Longueur plate secondaire 8±1mm
Concentration en transporteur (1-10) x1017cm-3
Mobilité 100-400cm2/V.s
EPD <3x10>4cm-2
TTV <10um>
ARC <10um>
CHAÎNE <12um>
Inscription de laser sur demande
Finition de Suface P/E, P/P
Epi prêt oui
Paquet Conteneur ou cassette simple de gaufrette

 

Quel est le processus d'InAs ?

Des gaufrettes d'InAs doivent être préparées avant la fabrication de dispositif. Pour commencer, elles doivent être complètement nettoyées pour enlever n'importe quels dommages qui pourraient s'être produits pendant le processus de découpage en tranches. Les gaufrettes alors sont chimiquement mécaniquement polies/Plaranrized (CMP) pour l'étape matérielle finale de retrait. Ceci tient compte de l'accomplissement des surfaces comme un miroir superbe-plates avec une rugosité restante sur une échelle atomique. Ensuite cela est accompli, la gaufrette est prêt pour la fabrication.

Concentration en structure et en transporteur de bande de gaufrette d'InAs

Paramètres de base

Domaine d'énergie 0,354 eV
Séparation d'énergie (EΓL) entre Γ et L vallées 0,73 eV
Séparation d'énergie (EΓX) entre les vallées de Γ et de X eV 1,02
Division rotation-orbitale d'énergie 0,41 eV
Concentration en transporteur intrinsèque 1·1015 cm-3
Résistivité intrinsèque 0,16 Ω·cm
Densité efficace de bande de conduction des états 8,7·1016 cm-3
Densité efficace de bande de valence des états 6,6·1018 cm-3

 

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces Concentration en structure et en transporteur de bande d'InAs.
Les minimum importants de la bande de conduction et des maximum de la valence se réunissent.
Par exemple = 0,35 eV
EV 1,08 d'EL=
EV 1,37 d'EX=
Eso = 0,41 eV

Les dépendances de la température

La dépendance de la température du domaine d'énergie direct

Par exemple = 0,415 - 2,76·10-4·T2 (T+83) (eV),

là où T est la température en degrés K (0  

Densité efficace des états dans la bande de conduction

Nc≈1.68·1013·T3/2 (cm-3).

Densité efficace des états dans la bande de valence

Nv≈ 1,27·1015·T3/2 (cm-3).

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces Les dépendances de la température de la concentration en transporteur intrinsèque.
Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces Niveau de Fermi contre la température pour différentes concentrations des donateurs peu profonds et des accepteurs.

Les dépendances à l'égard la pression hydrostatique

Par exemple ≈ par exemple (0) + 4,8·10-3P (eV)
EL D'EL≈ (0) + 3,2·10-3P (eV)

là où P est pression dans kbar 

Domaine d'énergie se rétrécissant à la haute enduisant des niveaux

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces Domaine d'énergie se rétrécissant contre le donateur (courbe 1) et accepteur (courbe 2) enduisant la densité.
Les courbes sont s'accorder calculé
Les points donnent des résultats expérimentaux pour des n-InAs

Pour InAs de type n

ΔEg = 14,0·10-9·Nd1/3 + 1,97·10-7·Nd1/4 + 57,9·10-12·Nd1/2 (eV)

Pour InAs de type p

ΔEg = 8,34·10-9·Na1/3 + 2,91·10-7·Na1/4 + 4,53·10-12·Na1/2 (eV)

Les masses efficaces

Électrons :

Monocristal enduit par Zn de gaufrette d'InAs type de la gaufrette P de catégorie d'essai de 2 pouces La masse efficace d'électron contre la concentration d'électron
 

 

Pour la Γ-vallée mΓ = 0.023mo
Nonparabolicity :
E (1+αE) = h2k2/(2mΓ)
α = 1,4 (eV-1)
Dans la masse efficace de L-vallée de la densité des états mL=0.29mo
Dans la masse efficace de X-vallée de la densité des états mX=0.64mo

Trous :

Lourd MH = 0.41mo
Lumière mlp = 0.026mo
Bande de fente- mso = 0.16mo

La masse efficace de la densité des états système mv = 0.41mo

Donateurs et accepteurs

Énergies d'ionisation des donateurs peu profonds

≥ 0,001 (eV) : Se, S, Te, GE, SI, Sn, Cu

Énergies d'ionisation des accepteurs peu profonds, eV

Sn GE SI Cd Zn
0,01 0,014 0,02 0,015 0,01

 

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