Aperçu ProduitsGaufrette d'antimoniure d'indium

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N

Prime Grade InSb Wafer 3 Inch Undoped For Infrared Astronomy N Type

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans le conteneur simple, sous une a
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Nom du produit: Gaufrette de substrat d'antimoniure d'indium Gaufrette Diamter: 3 pouces
Qualité: Catégorie principale D'entité: Gaufrette non dopée d'InSb
Épaisseur de gaufrette: 3 ″ 800or900±25um Mot-clé: Gaufrette d'InSb d'antimoniure d'indium
Surligner:

as cut wafer

,

insb wafer

Non dopé, substrat d'antimoniure d'indium, 3", catégorie principale

 

Non dopé, substrat d'antimoniure d'indium, 3", catégorie principale

 

Spécifications de gaufrette
Article Caractéristiques
Diamètre de gaufrette

 

3 ″ 76.2±0.4mm
 

Orientation en cristal

 

″ 3 (111) AorB±0.1°

Épaisseur

 

3 ″ 800or900±25um
 

Longueur plate primaire

 

3 ″ 22±2mm
 

Longueur plate secondaire

 

3 ″ 11±1mm
 

Finition extérieure P/E, P/P
Paquet Conteneur de gaufrette ou cassette Epi-prêt et simple de CF

 

Élém. élect. et enduisant des spécifications
Type de conduction de type n
Dopant Non dopé
Cm2 d'EPD ≤50
² V-1s-1 de cm de mobilité ≥4*105
Concentration en transporteur cm-3 5*1013-3*1014

Propriétés électriques de gaufrette d'InSb

La concentration en structure et en transporteur de bande de la gaufrette d'InSb incluent des paramètres de base, mobilité et à effet Hall, des propriétés de transport dans les champs électriques élevés, ionisation d'impact
, Paramètres de recombinaison

 

PAM-XIAMEN offre la gaufrette d'InSb – antimoniure d'indium qui est développé par LEC (Czochralski encapsulé par liquide) en tant que catégorie epi-prête ou mécanique avec le type de n, le type de p ou non dopé dans l'orientation différente (111) ou (100). L'antimoniure d'indium (InSb) est un composé cristallin fait à partir de l'indium (In) d'éléments et de l'antimoine (Sb). C'est un matériel de semi-conducteur d'étroit-Gap du groupe d'III-V utilisé dans les détecteurs infrarouges, y compris des caméras de formation d'images thermiques, des systèmes de FLIR, systèmes d'orientation infrarouges de missile à autodirecteur, et dans l'astronomie infrarouge. Les détecteurs d'antimoniure d'indium sont sensibles entre 1-5 longueurs d'onde de µm.

 

Service

 

le service de conseil du téléphone 7X24-hour est disponible.

La réponse et la solution seront fournies en 8 heures sur requête du service à la clientèle.

L'appui après-vente est disponible sur une base 7X24-hour, ne laissant aucune inquiétude pour des clients.

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

Paramètres de base

Champ de panne ≈103 V cm-1
Électrons de mobilité ≤7.7·104 cm2V-1s-1
Trous de mobilité ≤850 cm2V-1s-1
Électrons de coefficient de diffusion ≤2·103 cm2s-1
Trous de coefficient de diffusion ≤22 cm2s-1
Vitesse de courant ascendant d'électron 9,8·105 m S1
Vitesse de courant ascendant de trou 1,8·105 m S1

Mobilité et Hall Effect

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N

Mobilité de hall d'électron contre la température pour différents niveaux de dopage et différents rapports de compensation

Courbe ND (cm-3) θ = Na/Nd
1. 3,85·1014 0,5
2. 8,5·1014 0,88
3. 9,5·1014 0,98
4. 1,35·1015 0,99

 

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N Mobilité des électrons contre la température (hautes températures).
La ligne continue est calcul théorique pour la mobilité de glissement des électrons.
Les données expérimentales sont des mobilités de hall.
 

 

 

 

Mobilité des électrons maximale pour le n-InSb pur
77 K 1,2·106 cm2V-1s-1
300 K 7,7·104 cm2V-1s-1
Mobilité des électrons maximale pour InSb développé sur le substrat de GaAs
77K 1,5·105 cm2V-1s-1 (no= 2,2·1015 cm-3)
300 K 7,0·104 cm2V-1s-1 (no= 2,0·1016 cm-3)
Mobilité des électrons maximale pour InSb développé sur le substrat d'INP
77 K 1,1·105 cm2V-1s-1
300 K 7,0·104 cm2V-1s-1

 

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N Trouez la mobilité de hall contre la température pour différentes concentrations en trou.
PO (cm-3) :
1. 8·1014 ;
2. 3,15·1018 ;
3. 2,5·1019 ;
 

 

Ionisation d'impact

 

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance du taux de génération pour les électrons GN contre le champ électrique F, 300 K
 

Pour 300 K, pour 30 V/cm < F="">

la GN (F) = 126·F2exp (F/160) (S1),

là où F est dans V cm-1.

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance du taux de génération pour les électrons GN contre le champ électrique F, 77 K
 
Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance de l'ionisation évalue pour le αi d'électrons contre le champ électrique F, T=78 K
 
Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance du taux de génération pour le généraliste de trous contre le champ électrique F, T =77K
 

Paramètres de recombinaison

Pour InSb pur à la vie de T≥250K du transporteur (des électrons et des trous) est déterminé par recombinaison de foreuse :
τn = τp ≈1/C ni2,
là où C≈5·10-26 cm-6 S1 sont le coefficient de foreuse.
le Ni est la concentration en transporteur intrinsèque.

Pour T = 300 K τn = τp≈5·10-8 s
Pour T = 77K
de type n : la vie des trous τp | 10-6 s
de type p : la vie des électrons τn | 10-10 s

 

Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance de la température de la vitesse de recombinaison extérieure pour le p-InSb.
 
Gaufrette principale d'InSb de catégorie 3 pouces de non dopée pour le type infrarouge de l'astronomie N La dépendance de la température de la vitesse de recombinaison extérieure pour le n-InSb.
 

 

Coefficient radiatif de recombinaison ~5·10-11 cm3s-1
Coefficient de foreuse ~5·10-26 cm6s-1

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PAM-XIAMEN est votre aller-à l'endroit pour tout des gaufrettes, y compris des gaufrettes d'InSb, comme nous l'avions fait pendant presque 30 années ! Enquérez-vous nous aujourd'hui pour apprendre plus au sujet des gaufrettes que nous offrons et de la façon dont nous pouvons vous aider avec votre prochain projet. Notre équipe de groupe attend avec intérêt de fournir des produits de qualité et l'excellent service pour vous !

 

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Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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