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| Lieu d'origine: | La Chine |
| Nom de marque: | PAM-XIAMEN |
| Quantité de commande min: | 1-10,000pcs |
|---|---|
| Prix: | By Case |
| Délai de livraison: | 5-50 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T. |
| Capacité d'approvisionnement: | 10 000 gaufrettes/mois |
| Nom du produit: | gaufrette d'antimoniure de gallium de monocristal | Qualité: | Catégorie factice |
|---|---|---|---|
| L'autre nom: | Gaufrette de GaSb d'antimoniure de gallium | Type de conduction: | Type de N |
| Diamètre de gaufrette: | 4 pouces | Dopant: | tellurium |
| arc: | <15um> | de marquage au laser: | sur demande |
| Surligner: | 2 inch wafer,4 inch wafer |
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N dactylographient, la gaufrette de GaSb de monocristal, 4", la catégorie factice
4" spécifications de gaufrette de GaSb
| Article | Caractéristiques |
| Dopant | Tellurium |
| Type de conduction | de type n |
| Diamètre de gaufrette | 4" |
| Orientation de gaufrette | (100) ±0.5° |
| Épaisseur de gaufrette | 800±25um |
| Longueur plate primaire | 32.5±2.5mm |
| Longueur plate secondaire | 18±1mm |
| Concentration en transporteur | (1-20) x1017cm-3 |
| Mobilité | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2x10>3cm-2 |
| TTV | <15um> |
| ARC | <15um> |
| CHAÎNE | <20um> |
| Inscription de laser | sur demande |
| Finition de Suface | P/E, P/P |
| Epi prêt | oui |
| Paquet | Conteneur ou cassette simple de gaufrette |
La concentration en structure et en transporteur de bande de la gaufrette de GaSb incluent des paramètres de base, constantes élastiques, vitesses d'onde acoustique, fréquences de phonon.
PAM-XIAMEN fournit la croissance de gaufrette de GaSb de monocristal (antimoniure de gallium) par la méthode de Czochralski encapsulée par liquide (LEC). GaSb (antimoniure de gallium) peut être fourni comme gaufrettes avec les finitions de comme-coupe, gravée à l'eau-forte ou poli et est disponible dans un large éventail de concentration, de diamètre et d'épaisseur en transporteur. PAM-XIAMEN peut fournir la gaufrette prête de GaSb de catégorie d'epi pour votre application épitaxiale de MOCVD et de MBE. Veuillez contacter notre équipe d'ingénieur pour plus d'information de gaufrette.
| Module de compressibilité | 5,63·cm2 de 1011 dyne |
| Densité | 5,614 g cm-3 |
| Dureté sur l'échelle de Mohs | 4,5 |
| Microdureté extérieure (utilisant l'essai de la pyramide de Knoop) | 450 kilogrammes mm-2 |
| Avion de décolleté | {100} |
| Constante piézoélectrique | e14= -0,13 C m2 |
| Module de compressibilité (compressibility-1) | Bs= 5,62·cm2 1011dyn |
| Module de cisaillement | C'= 2,4·cm2 1011dyn |
| [100] module de Young | Yo= 6,31·cm2 1011dyn |
| [100] coefficient de Poisson | σo = 0,31 |
| Direction de propagation des ondes | Caractère de vague | Expression pour la vitesse de vague | Vitesse de vague (dans les unités de 105 cm/s) |
| [100] | VL | (C11/ρ) 1/2 | 3,97 |
| VT | (C44/ρ) 1/2 | 2,77 | |
| [100] | Vl | [(C11+Cl2+2C44)/2ρ] 1/2 | 4,38 |
| VT|| | VT||=VT= (C44/ρ) 1/2 | 2,77 | |
| Vt⊥ | [(C11-C12)/2ρ] 1/2 | 2,07 | |
| [111] | Vl | [(C11+2C12+4C44)/3ρ] 1/2 | 4,50 |
| Vt | [(C11-C12+C44)/3ρ] 1/2 | 2,33 |
(dans les unités de 1012 hertz)
| νLO (Γ15) | 6,87 | νTA (L3) | 1,37 |
| νTA (X5) | 1,70 | νLA (L1) | 4,60 |
| νLA (X3) | 4,99 | νLO (L1) | 6,15 |
| νTO (X5) | 6,36 | νTO (L3) | 6,48 |
| νLO (X1) | 6,35 |
Au sujet de nous
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Pureté de gaufrette de phosphure d'indium de monocristal grande catégorie de perfection de 4 pouces
