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Gaufrette d'antimoniure de gallium de GaSb de semi-conducteur 2 épaisseur de la catégorie 500±25um d'essai de pouce

Gaufrette d'antimoniure de gallium de GaSb de semi-conducteur 2 épaisseur de la catégorie 500±25um d'essai de pouce

Semiconductor GaSb Gallium Antimonide Wafer 2 Inch Test Grade 500±25um Thickness

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: PAM-XIAMEN

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1-10,000pcs
Prix: By Case
Délai de livraison: 5-50 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T.
Capacité d'approvisionnement: 10 000 gaufrettes/mois
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Description de produit détaillée
Nom du produit: Gaufrette de GaSb L'autre nom: P dactylographient la gaufrette d'antimoniure de gallium
D'entité: Examinez la catégorie Dopant: zinc
Épaisseur de gaufrette: 500±25um Diamètre de gaufrette: 2"
chaîne: <12um> arc: <10um>
Surligner:

2 inch wafer

,

4 inch wafer

P dactylographient, la gaufrette de GaSb (antimoniure de gallium), 2", catégorie d'essai - fabrication de gaufrette de semi-conducteur
 
2" spécifications de gaufrette de GaSb

Article Caractéristiques
Dopant Zinc
Type de conduction de type p
Diamètre de gaufrette 2"
Orientation de gaufrette (100) ±0.5°
Épaisseur de gaufrette 500±25um
Longueur plate primaire 16±2mm
Longueur plate secondaire 8±1mm
Concentration en transporteur (5-100) x1017cm-3
Mobilité 200-500cm2/V.s
EPD <2x10>3cm-2
TTV <10um>
ARC <10um>
CHAÎNE <12um>
Inscription de laser sur demande
Finition de Suface P/E, P/P
Epi prêt oui
Paquet Conteneur ou cassette simple de gaufrette

Concentration en structure et en transporteur de bande de gaufrette de GaSb

La concentration en structure et en transporteur de bande de la gaufrette de GaSb incluent des paramètres de base, la température, des dépendances, la dépendance de domaine d'énergie à l'égard la pression hydrostatique, des masses efficaces, des donateurs et des accepteurs

 

Inspection de qualité de matière première à la production, et livraison.

Personne professionnelle de contrôle de qualité, pour éviter les produits non qualifiés coulant dans le client.

Inspection stricte à la matière première, à la production, et à la livraison.

Pleine série d'équipement dans le laboratoire de qualité.

 

Paramètres de base

Domaine d'énergie 0,726 eV
Séparation d'énergie (EΓL) entre Γ et L vallées 0,084 eV
Séparation d'énergie (EΓX) entre les vallées de Γ et de X 0,31 eV
Division rotation-orbitale d'énergie 0,80 eV
Concentration en transporteur intrinsèque 1,5·1012 cm-3
Résistivité intrinsèque 103 Ω·cm
Densité efficace de bande de conduction des états 2,1·1017 cm-3
Densité efficace de bande de valence des états 1,8·1019 cm-3

 

Gaufrette d'antimoniure de gallium de GaSb de semi-conducteur 2 épaisseur de la catégorie 500±25um d'essai de pouce Concentration en structure et en transporteur de bande de GaSb. 300 K
Par exemple = 0,726 eV
EL = 0,81 eV
= eV 1,03 EX
Eso = 0,8 eV

Énergies d'ionisation des donateurs peu profonds (eV)

Te (L) Te (X) Se (L) Se (X) S (L) S (X)
~0,02 ≤0.08 ~0,05 ~0,23 ~0,15 ~0,30

Pour des concentrations de distributeur typiques Nd≥ 1017 cm-3 les états de distributeur peu profonds liés à la Γ-vallée ne sont pas apparus.

Énergies d'ionisation des accepteurs peu profonds (eV) :

L'accepteur dominant de GaSb non dopé semble être un défaut indigène.
Cet accepteur est doublement ionisable

Ea1 Ea2 SI GE Zn
0,03 0,1 ~0,01 ~0,009 ~0,037

 

Au sujet de nous

 

Amélioration continue, niveau plus de haute qualité de recherche. Notre personnel de vente fortement consacré n'a jamais lancé à partir d'aller que mille supplémentaire répondre et dépasser aux attentes du client. Nous ne traitons nos clients avec la mêmes fidélité et dévotion, aucune matière la taille de leurs affaires ou industrie.

 

Nous avons un atelier propre et rangé, large et une équipe de production et de développement avec une expérience riche, fournissant le soutien important pour vos besoins de R&D et de production ! Tous nos produits sont conformes aux normes de qualité internationales et sont considérablement appréciés sur un grand choix de différents marchés dans le monde entier. Si vous êtes intéressé par un quelconque de nos produits ou voudriez discuter une commande à façon, sentez-vous svp libre pour nous contacter. Nous attendons avec intérêt de former des relations d'affaires réussies avec de nouveaux clients autour du monde dans un avenir proche.

 

Coordonnées
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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