Gaufrette 4" de catégorie d'essai d'INP enduite par Fe application de détection optique semi isolante

Substrat semi-isolant et Fe-enduit de phosphure d'indium, 4", catégorie d'essai
 
Semi-isolant, substrat de phosphure d'indium, 4", catégorie d'essai

PAM-XIAMEN fabrique des gaufrettes de phosphure d'indium de monocristal de grande pureté pour des applications d'optoélectronique. Nos diamètres standard de gaufrette s'étendent de 25,4 millimètres (1 pouce) à 200 millimètres (6 pouces) dans la taille ; des gaufrettes peuvent être produites dans diverses épaisseurs et orientations avec les côtés polis ou non polis et peuvent inclure des dopants. PAM-XIAMEN peut produire des catégories d'éventail : catégorie principale, catégorie d'essai, catégorie factice, catégorie technique, et catégorie optique. PAM-XIAMEN offrent également des matériaux aux caractéristiques de client par demande, en plus des compositions faites sur commande pour des applications de message publicitaire et de recherches et de nouvelles technologies de propriété industrielle.

Application de détection optique

Protection de l'environnement et identification visantes de détection spectroscopiques des substances dangereuses
• Un champ croissant sent a basé sur le régime de longueur d'onde de l'INP. Un exemple pour la spectroscopie de gaz est équipement de test d'entraînement avec la mesure en temps réel de (Co, CO2, NOX [ou AUCUN + NO2]).
• Vérification rapide des traces des substances toxiques dans les gaz et les liquides (eau du robinet y compris) ou des contaminations extérieures vers le bas au niveau de ppb.
• Spectroscopie pour le contrôle de produit non destructif par exemple de la nourriture (dépistage précoce de produit alimentaire corrompu)
• La spectroscopie pour beaucoup d'applications nouvelles, particulièrement dans le contrôle de la pollution atmosphérique sont discutées aujourd'hui et les réalisations sont sur le chemin.

	La mobilité de hall d'électron contre la température pour le dopage différent nivelle. Courbe inférieure - no=Nd-Na=8·1017 cm-3 ; Courbe moyenne - no=2·1015 cm-3 ; Courbe supérieure - no=3·1013 cm-3. (Razeghi et autres [1988]) et (  de Walukiewicz   et autres [1980]).
	Mobilité de hall d'électron contre la température (hautes températures) : Courbe inférieure - no=Nd-Na~3·1017 cm-3 ; Courbe moyenne - no~1.5·1016 cm-3 ; Courbe supérieure - no~3·1015 cm-3. (Galavanov et Siukaev [1970]).

Pour le n-INP faiblement enduit aux températures de près de la mobilité de glissement des électrons de 300 K :

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 S1)

	Mobilité de hall contre la concentration d'électron pour différents rapports de compensation. θ = Na/Nd, 77 K. Les courbes à tiret sont des calculs théoriques : 1. θ = 0 ; 2. θ = 0,2 ; 3. θ = 0,4 ; 4. θ = 0,6 ; 5. θ = 0,8 ; (  de   de Walukiewicz et autres [1980]). La ligne continue est des valeurs observées de moyen (  de   d'Anderson et autres [1985]).
	Mobilité de hall contre la concentration d'électron pour différents rapports de compensation θ =Na/Nd, 300 K. Les courbes à tiret sont des calculs théoriques : 1. θ = 0 ; 2. θ = 0,2 ; 3. θ = 0,4 ; 4. θ = 0,6 ; 5. θ = 0,8 ; (  de   de Walukiewicz et autres [1980]). La ligne continue est des valeurs observées de moyen (  de   d'Anderson et autres [1985]).

Formule approximative pour la mobilité de hall d'électron

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2],
là où ΜOH=5000 cm2V-1 S1,
ND dans cm-3 (Hilsum [1974])
À 300 K, le facteur rn≈1 de Hall d'électron dans le n-INP.
pour ND > 1015 cm-3.

Trouez la mobilité de hall contre la température pour différents niveaux de dopage (de Zn). Concentration en trou à 300 K : 1. 1,75·1018 cm-3 ; 2. 3,6·1017 cm-3 ; 3. 4,4·1016 cm-3. θ=Na/Nd~0.1. (  de   de Kohanyuk et autres [1988]).

Pour le p-INP faiblement enduit à la température de près de 300 K la mobilité de hall

µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 S1).

Mobilité de hall de trou contre la densité de trou, 300 K (Wiley [1975]). La formule approximative pour la mobilité de hall de trou : µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], où µpo~150 cm2V-1 S1, Na dans cm-3

À 300 K, le facteur de trou dans le p-INP pur : rp~1

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